扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响-上海大学学报.PDFVIP

第１８卷 第３期 （自然 科 学 版） Ｖｏｌ．１８Ｎｏ．３ ２０１２年６月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮＡＴＵＲＡＬＳＣＩＥＮＣＥ） Ｊｕｎ．２０１２ 　　ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００７２８６１．２０１２．０３．０１２　 扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响 李鹏荣，　吴　伟，　马忠权，　王义飞 （上海大学 理学院，上海２００４４４） 摘要：在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上，改变扩散工艺条件，制备一系列的方块电阻发射极．在未改变 其他工艺参数的条件下，当发射极方块电阻升高时，短路电流持续上升，开路电压在接近７０ ／ 时接近饱和，而填 Ω □ 充因子（ｆｉｌｌｆａｃｔｏｒ，ＦＦ）则因串联电阻的增加呈下降趋势．器件的效率在７０ ／ 方阻发射极时达到最大值．通过光致 Ω □ 发光图（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，ＰＬ）比较方阻为５０和７０ ／ 发射极的吸杂效果，结果说明，在磷扩散过程中，硅片的晶 Ω □ 粒、晶界以及位错区域的吸杂效果都非常明显，且５０ ／ 发射极硅片的吸杂效果略优于７０ ／ 的硅片． Ω □ Ω □ 关键词：太阳能电池；扩散；方块电阻；吸杂；光致发光图 中图分类号：Ｏ４７４　　　　　文献标志码：Ａ　　　　　文章编号：１００７２８６１（２０１２）０３０２７７０５　 ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＳｈｅｅｔＲｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｎＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆＭｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ ＬＩＰｅｎｇｒｏｎｇ，　ＷＵＷｅｉ，　ＭＡＺｈｏｎｇｑｕａｎ，　ＷＡＮＧＹｉｆｅｉ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２００４４４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｅｘｉｓｔｉｎｇｌａｒｇｅｓｃａｌｅｓｏｌａｒｃｅｌｌｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓ，ａｓｅｒｉｅｓｏｆｓｈｅｅｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｅｍｉｔｔｅｒｓｗｅｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｃｈａｎｇｉｎｇｄｉｆｆｕｓｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ．Ｗｈｅｎｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｓｈｅｅｔｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｉｎｃｒｅａｓｅｓ，ｓｈｏｒｔｃｉｒｃｕｉｔｃｕｒｒｅｎｔｒｉｓｅｓｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙ，ａｎｄｏｐｅｎｃｉｒｃｕｉｔｖｏｌｔａｇｅｉｓｃｌｏｓｅｔｏｓａｔｕｒａｔｉｏｎｎｅａｒ ７０ ／ ，ｗｈｉｌｅｆｉｌｌｆａｃｔｏｒ（ＦＦ）ｄｅｃｌｉｎｅｓｄｕｅｔｏｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｓｅｒｉａｌｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｕｎｄｅｒｔｈｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｔｈａｔ Ω □ ｏｔｈｅｒｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｒｅｕｎｃｈａｎｇｅｄ．Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｒｅａｃｈｅｓｍａｘｉｍｕｍｗｈｅｎｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｓｈｅｅｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｉｓ７０ ／ ．Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｉｓｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎ，ｔｈｉｓｐａｐｅｒｃｏｍｐａｒｅｓｇｅｔｔｅｒｉｎｇｅｆｆｅｃｔｏｆｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｓｈｅｅｔ Ω □ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｂｅｔｗｅｅｎ５０ａｎｄ７０ ／ ｂｙｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｉｍａｇｅｓ．ＰＬｉｍａｇｅｓｓｈｏｗｔｈａｔｄｕｒｉｎｇｔｈｅ Ω □ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｏｆｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓｉｎａｓｉｌｉｃｏｎｇｒａｉｎ，ｇｒａｉｎｂｏｕｎｄａｒ