AVN沟道增强型功率场效应晶体管-roumcn.PDFVIP

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2018-02-28 发布于天津
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AVN沟道增强型功率场效应晶体管-roumcn

5NE60C 4.5A 、600V N沟道增强型功率场效应晶体管 1 概述这些 N 沟道增强型低压功率 MOS 场效应晶体管，通过自对准平面技术获得，可以降低导通损耗，提高开关性能并增强雪崩 VDSS = 600V 能量。符合 RoHS 标准。 R （ 2.0Ω DS(on) TYP)= ID = 4.5A 2 特性 ● 开关速度快 ● ESD 提升性能 ● 导通电阻低(导通电阻≤2.5Ω) ● 低栅极电荷(典型值:13nC) ● 低反向传输电容(典型值:2.2pF) ● 100% 单脉冲雪崩能量筛选测试 ● 100% Δ VDS 测试 3 应用 ● 系统各种小型化和高效率的功率开关电路 ● 电子镇流器和适配器的电源开关电路 TO-220C 4 电特性 4.1 极限值 (除非另有规定，Tc=25℃) 参数名称符号额定值单位漏极-源极直流电压 VDS 600 V 栅极-源极电压 VGS ±30 V 4.5 A ID （T=25 ℃）连续漏极电流（T=100℃） 3.2 A 单脉冲漏极电流（注 1） IDM 18 A 单脉冲雪崩能量（注 5 ） EAS 200 mJ 峰二极管恢复 dv/dt （注6 ） dv/dt 5 V/ns T =25 ℃ P 2.0 W a tot 最大耗散功率 T =25 ℃ P 75 W C tot 栅源 ESD VESD(G-S) 3000 V (HBM-C=100pF,R=1.5KΩ）结温