超大规模集成电路基础半导体学基础-MOS.PDF

超大规模集成电路基础 （半导体学基础-MOS） 傅宇卓 本章大纲 n 半导体学基础 n 二极管 n 三极管 nMOS管 Computer Department of SJTU 2 - - MOS管 nMOS管概述 n nMOS 自对准制造工艺 n MOS管工作原理 n MOS管的伏安特性 n MOS管的工作区间 n MOS管的电容特征 n MOS管的二级效应 Computer Department of SJTU 3 - - MOS管概述— — — 特征 n MOS （Metal Oxide Semiconductor type Field Effective Transistor-MOSTFET) n 特点 ®制造工艺简单 ®成品率高 ®功耗低、体积小 ®输入阻抗高，可利用栅源电容进行动态存储 ®N沟MOS较P沟MOS速度快，但工艺复杂 ®CMOS输入阻抗更高、没有静态功耗 Computer Department of SJTU 4 - - N型、P型、耗尽型、增强型 n 用电子做衬底－－p型 n 用空穴做衬底－－n型 n 无需外加电压即可建立沟道－－耗尽型 n 需要外加电压方可建立沟道－－增强型 n 电子的迁移率是空穴的2.5倍，因此nMOS 的速度肯定比pMOS快 Computer Department of SJTU 5 - - MOS管概述— — — — 符号表示 D D G G S S NMOS Enhancement NMOS Depletion D D G G B S S PMOS Enhance