衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针.PDFVIP

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2018-11-27 发布于天津
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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针.PDF

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衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响本原扫描探针

第7 期电子元件与材料 Vol.24 No.7 2005 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Jul. 2005 研究与试制 R D 衬底温度对反应磁控溅射制备AlN 压电薄膜的影响王忠良，刘桥（贵州大学，贵州贵阳 550025）摘要: 采用反应磁控溅射法在 Si （111 ）衬底上沉积了AlN 薄膜。XRD 分析表明，在 5 种温度下，AlN 均以（100 ）面取向，衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善，在 600℃以上时 AlN 中Al—N0 键断裂，仅出现（100 ）衍射峰。 AFM 分析显示，在 600℃时平均晶粒尺寸 90 nm ，Z 轴最高突起仅为 23 nm 。关键词: 无机非金属材料；AlN 压电薄膜；反应磁控溅射；择优取向中图分类号: TM28 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （2005 ）07-0047-03 n AlN Piezoelectric Thin Film Prepared by Reactive Magnetron c Reactive Sputtering . WANG Zhong-liang, LIU Qiao (Guizhou University, Guiyang 550025, China) m o Abstract: AlN thin films were successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputtering. XRD measurements detect AlN thin films with preferential orientations (100) at 5 different substrate temperature. The increase of c substrate temperature will improve crystallizability. The Al—N0 bond will break and only detect (100) peak when substrate . temperature is over 600 ℃. AFM observations of the films deposited at 600℃ reveal fine grains with size of 90 nm, topmost protuberance of 23 nm. m Key words: inorganic non-metallic materials; AlN piezoelectric thin film; reactive