螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 5$ % $!!% % ， ， ， -I; 35$ 2I 3 % J=KL $!!% （ ） #!!!+%$!4$!!%45$ !% 4!6’+!5 :,E: *(H/F,: /F2F,: !$!!% ,L0B 3 *LMN 3 /I 3 螺旋波等离子体增强化学气相 沉积氮化硅薄膜! 于 威 刘丽辉 侯海虹 丁学成 韩 理 傅广生 （河北大学物理科学与技术学院，保定 !#!!$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $!!$ $% $!!$ #’ 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积（ ）技术，以 和 为反应气体进行了氮化硅（ ）薄膜沉 ()*+,-. /0( 2 /02 1 $ 积，并研究了实验参量对薄膜特性的影响 利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜 3 的结构、厚度和折射率等参量进行了测量3 结果表明，采用()*+,-. 技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速 率制备低 含量的 薄膜，所沉积的薄膜主要表现为 — 键合结构 采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积 ( /02 /0 2 3 速率，并使薄膜的致密性增加 适当提高 比例有利于薄膜中 含量的降低 3 2 4 /0( ( 3 $ 1 关键词：螺旋波等离子体，化学气相沉积，氮化硅薄膜 ： ， ， !## $%! ’#55( 6’55 ［，］ 著降低’ 在 薄膜沉积过程中，为减小 含量 3 /02 ( #7 引 言 通常采用$5! 8 以上的热退火处理，而该过程会引 起薄膜结构缺陷的增加3 氮化硅（ ）因其高度的热稳定性和化学惰性、 /02 螺旋波等离子体（ ）技术为近年来逐渐发展 ()* 良好的绝缘性以及较高的硬度在微电子学领域得到 起来的半导体材料加工技术 因其能在