156单晶硅不同扩散方阻下的功率对比.docVIP

试 验 报 告 试验编号试验项目名称 156单晶不同方阻的功率对比 实验员 实验目的 跟踪156单晶硅片用SEMILAB测试得到的不同方阻在三期车间生产的电池片功率状况 实验所用材料 156单晶硅片，电阻率正常 试验方法及过程 在清洗车间随机挑选1600片均匀的分为4批，各400片。扩散时把这4批硅片分别制作为方阻40-45,45-50,50-55以及55-60。扩散后正常流下，在同一台PE，印刷烧结制作成电池片，并测试比较最终的电性能参数。 实验结果 扩散后方阻记录如下： 温区一 温区二 温区三 温区四 温区五 平均值 40-45 44 44 43 44 45 44 44.00 1.3 1.63 1.25 1.9 1.79 1.74 1.60 45-50 49 49 47 47 47 48 47.83 1.79 1.98 1.26 1.34 1.43 1.42 1.54 50-55 54 52 51 50 49 50 51.00 2 1.87 1.57 1.86 1.67 2.21 1.86 55-60 59 57 58 59 58 57 58.00 1.76 1.58 1.8 2.56 3.15 2.7 2.26 根据平均方阻和方阻偏差进行作图： 结论：本次试验方阻控制比较理想，但40-45和45-50以及45-50和50-55之间相差在3欧左右，阶梯不是很明显。从上面平均方阻和平均方阻偏差的趋势图中可以看见方阻越大，扩散方阻的偏差就越大，特别是在温区五的位置（炉尾）比较明显。 制成电池片后各组电性能参数对比如下： 　 Pmpp Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev2 40-45 4.1195 0.6192 8.7759 0.0043 36.31 75.82 0.1724 0.2820 45-50 4.1141 0.6194 8.8305 0.0047 36.34 75.21 0.1722 0.3109 50-55 4.1461 0.6189 8.8678 0.0044 71.44 75.55 0.1735 0.1763 55-60 4.1308 0.6186 8.9208 0.0049 41.50 74.86 0.1729 0.3307 结论：对比上表中的数据，平均功率最高的为方阻50-55，主要体现在50-55的方阻制成的电池片开压和短路电流适中，且填充因子有较好表现。 把开压、电流和填充进行作图对比如下： 结论：对比这次实验后电池片的电性能参数，开压随方阻增加有下降趋势，短路电流随方阻增加升高，填充因子整体随方阻升高下降。 根据电池片档位分步作图如下： 结论：各组电池片的档位分布均比较集中，50-55方阻的档位稍微靠前，所以其平均功率稍高。 实验分析：总的来说156单晶在不同方阻下的表现和和126单晶在不同方阻下的趋势一致。本实验的开压在各个方阻下变化都很小，这可能和方阻的阶梯差距小有一定关系。本次156采用66条细栅，栅线密集度为66/156=0.423;而126采用的是54条细栅，栅线密集度为54/126=0.428。 实验结论 1、方阻越大，扩散方阻的偏差就越大，特别是在温区四和五的位置（炉尾）比较明显。 2、平均功率最高的为方阻50-55，主要体现在50-55的方阻制成的电池片开压和短路电流适中，且填充因子有较好表现。 3、开压随方阻增加有稍微下降趋势，短路电流随方阻增加升高，填充因子整体随方阻升高下降。 4、各组电池片的档位分布均比较集中，50-55方阻的档位稍微靠前，所以其平均功率稍高。 试验报告 保存期限：5年