[工学]第1章吕爱华.pptVIP

1.1 电阻、电容、电感元件 1.1.1 电阻元件 电阻元件是电子线路中基本的、不可缺少的元件，它的主要作用是限流和调压。电阻测量的原理是利用欧姆定律来实现的。电阻的一个重要参数是阻值，一般情况下，色环电阻可以直接读出电阻阻值。电阻阻值也可以利用万用表来进行测量。 电阻器的色环表示法 5、电阻的并联 6.混联电路 在实际电路中，既有电阻的串联又有电阻的并联，这种电路被称为电阻的混联。分析电阻混联的一般步骤： （1）计算各串联电阻和并联电阻的等效电阻，再计算总的等效电阻。 （2）用欧姆定律求出总电流。 （3）根据串联电阻分压关系，并联电阻分流关系，逐步计算出各支路电流、各部分电压以及电路的其他参数。 1.2.2 三极管一. 三极管的结构 一、 晶闸管的结构 二、 晶闸管的工作原理 三、晶闸管的伏安特性和主要参数 （3） 复合管电流放大系数 单个三极管组成的放大电路的放大能力有限，为了增大电路的放大能力，可以采用复合管的形式，如图1.32所示。 由V1、V2 组成的复合管的等效形式由V1决定。由图1.32（a）可得： 图1.32 两个三极管组成的复合管电路形式 其电流放大倍数为 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 (2～2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 1.2.3 场效应管 场效应管是通过改变输入电压（即利用电场效应）来控制输出电流的，属于电压控制器件，它几乎不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此输入电阻很高，可高达上百兆欧。 1.结型场效应管 （1）结型场效应管的结构和符号 （a）N型沟道 （b）P型沟道 （c）N型沟道符号 （d）P型沟道符号 （2）结型场效应管的工作原理 当栅极和源极之间加上一反向偏置电压（UGS＜0）时， 耗尽层厚度增加，如图1.38所示。耗尽层厚度随着反向 偏置电压的增加而增加。 图1.38 N沟道结型场效应管的工作原理 当反向偏置电压UGS增加时，耗尽层厚度 变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增加ID减小； 反之，当反向偏置电压UGS减小时，耗尽层变薄， 导电沟道变宽，沟道电阻减小，ID增大。因此 结型场效应管处在放大状态时，应控制PN结 反向偏置状态。在漏极电压一定时，UGS的变 化就可以控制ID的变化，若在漏极端再增加一 个电阻RD ，那么RD就可将ID的变化转换成电压 的变化，也就是说，UGS的微小变化，可引起输 出电压UDS较大的变化，这就是结型场效应管进 行电压放大的基本工作原理。 2．绝缘栅型场效应管 （1）绝缘栅型场效应管的结构和符号 绝缘栅型场效应管的栅极与源极和漏极之间是完全绝缘的，因此称为 绝缘栅型场效应管。绝缘栅型场效应管共有四种： N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。 （2）绝缘栅型场效管的工作原理 图1.40 N沟道增强型绝缘栅型场效应管工作原理 当栅源之间的电压UGS=0时，不论漏源之间加什么 电