利用三步法MOCVD生长器件质量的GaN-厦门大学学术典藏库.PDF

第 22 卷第 6 期 半 　导 　体 　光 　电 Vol. 22 No. 6 2001 年 12 月 Semiconductor Optoelectronics Dec. 2001 ( ) 文章编号 :1001 - 5868 2001 06 - 0428 - 05 利用三步法 MOCVD 生长器件质量的 GaN 刘宝林 (厦门大学 物理系 ,福建 厦门 361005) 摘　要 : 　在传统的二步 MOCVD 外延生长的基础上 ,报道了一种在低压 MOCVD 中用三步 外延生长 GaN 材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的 AlN 层 来减少 Al O 与 GaN 缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层 GaN 的质量 ,达到 2 3 器件制作的要求。 关键词 : 　GaN ; MOCVD ; 原子层外延 ; 三步外延 ; 器件质量 ; AlN 中图分类号: 　TN304. 055 　　　文献标识码 : 　A Device Quality Ga N on Sa pphire Grown by Threestep MOCVD L IU Baolin ( Dept. of Phys. , Xiamen University , Xiamen 361005 ,China) Abstract : 　An AL E grown AlN layer has been developed to improve the quality of GaN on Al O 2 3 substrate by L PMOCVD. An AL E AlN layer grown on Al O substrate is of high quality and the 2 3 structure is similar to that of GaN ,and the stress between Al O substrate and GaN epilayer has been 2 3 released. By using this method , the orientation of substrate extends to GaN epilayer , and the column tilt and twist of the crystalline grain can be improved so that device quality GaN is obtained. Key words : 　GaN ; MOCVD ; AL E ; threestep epitaxy ; device quality ; AIN 1 　引言 一种行之有效的方法。反应室的压力也是一个影响 材料质量的非常重要的参数[3 ] , 虽然也有用低压 GaN 及其化合物半导体由于其特殊的物理和