[理学]模拟电子技术基础_第四版_答案.pdfVIP

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2018-02-19 发布于浙江
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[理学]模拟电子技术基础_第四版_答案

第一章第一章半导体基础知识半导体基础知识第一章第一章半导体基础知识半导体基础知识自测题自测题自测题自测题一、（1）√ （2 ）× （3 ）√ （4 ）× （5）√ （6 ）× 二、（1）A （2 ）C （3 ）C （4 ）B （5 ）A C 三、UO1 ≈1.3V UO2 ＝0 UO3 ≈－1.3V UO4 ≈2V UO5 ≈2.3V UO6 ≈－2V 四、UO1 ＝6V UO2 ＝5V 五、根据 PCM ＝200mW 可得：UCE ＝40V 时IC ＝5mA，UCE ＝30V 时IC ≈6.67mA，UCE ＝20V 时IC ＝10mA，UCE ＝10V 时IC ＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V − U I = BB BE = 26μA B R b I = β I 2=.6mA C B U = V − I R =2V CE CC C C U ＝U ＝2V 。 O CE 2 、临界饱和时 U ＝U ＝0.7V，所以 CES BE V − U I = CC CES 2.86 mA = C R c I I C28.6 μA = = B β V − U BB BE Rb = 45≈.4k Ω I B 七、T ：恒流区；T ：夹断区；T ：可变电阻区。 1 2 3 习题习题 u /V 习题习题 i 10 1.1 （1）A C （2 ）A （3 ）C （4 ）A O t 1.2 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 u o /V 10 1.3 ui 和 uo 的波形如图所示。 t O 1 1.4 u 和 u