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图4－15 自偏压电路图 2. 分压式自偏压电路 分压式偏置电路如图4－16所示，其中RG1和RG2为分压电阻， 式中UG为栅极电位，对N沟道耗尽型管， UGS＜0，所以，IDRSUG；对N沟道增强型管，UGS0，所以IDRSUG。 图4－16分压式偏置电路 二、 场效应管放大电路的等效电路及动态分析 1. 场效应管等效电路 场效应管与晶体三极管等效电路对照图如图4－17所示，由于场效应管输入电阻rgs很大，故输入端可看成开路。 2. 动态分析 场效应管放大电路的动态分析可采用图解法和微变等效电路分析法，其分析方法和步骤与晶体管放大电路相同，下面以图4－16电路为例，用微变等效电路来进行分析。 1）接有电容CS的情况 图4－16电路的微变等效电路如图4－18（a）所示。 图4－17场效应管与晶体三极管等效电路对照图 (a)三极管等效电路； (b)场效应管等效电路 图4－18 图4－16的场效应管等效电路 （a）接有CS时的等效电路（b）CS开路时的等效电路 图4－18 图4－16的场效应管等效电路 （a）接有CS时的等效电路（b）CS开路时的等效电路 由图可知 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻，当 时， 则恒流 所以 2）电容CS开路情况 其等效电路如图3－18(b)所示。 由图可知 电压放大倍数 输入电阻与输出电阻 引言：单极型半导体三极管（常用） 　　场效应管（简称FET）是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故也叫单极型半导体三极管。因它具有很高的输入电阻，能满足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）或称MOS型场效应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为N型沟道场效应管和P型沟道场效应管。 第4章 场效应管 4.1　 MOS场效应管 　　这种场效应管是由金属（Metal）,氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）组成的，故称MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种。按照工作方式不同可以分为增强型和耗尽型两类。 　一、增强型Ｎ沟道绝缘栅场效应管 1、结构和符号 图4 - 1是N沟道增强型MOS管的示意图。MOS管以一块掺杂浓度较低的P型硅片做衬底，在衬底上通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区，并引出两个极作为源极S和漏极D；在P型硅表面制作一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在二氧化硅表面再喷上一层金属铝，引出栅极G。这种场效应管栅极、源极、漏极之间都是绝缘的，所以称之为绝缘栅场效应管。 图　4-1 MOS管的结构及其图形符号 　　绝缘栅场效应管的图形符号如图4-1（b）、(c)所示，箭头方向表示沟道类型，箭头指向管内表示为N沟道MOS管(图(b))，否则为P沟道MOS管(图(c))。 2）工作原理 图4-3是N沟道增强型MOS管的工作原理示意图，图4-3（b）是相应的电路图。工作时栅源之间加正向电源电压UGS，漏源之间加正向电源电压UDS,并且源极与衬底连接,衬底是电路中最低的电位点。 当UGS=0时，漏极与源极之间没有原始的导电沟道，漏极电流ID=0。这是因为当UGS=0时，漏极和衬底以及源极之间形成了两个反向串联的PN结，当UDS加正向电压时，漏极与衬底之间PN结反向偏置的缘故。 图4-3 N沟道增强型MOS管工作原理 (a)示意图； (b)电路图 当UGS0时，栅极与衬底之间产生了一个垂直于半导体表面、由栅极G指向衬底的电场。这个电场的作用是排斥P型衬底中的空穴而吸引电子到表面层，当UGS增大到一定程度时，绝缘体和P型衬底的交界面附近积累了较多的电子，形成了N型薄