[工学]电子线路第四章.ppt

性能稳定的关键，而静态工作点及其稳定性主要取决于ICQ及其稳定性。 例题分析还表明三个参数对静态工作点的影响程度是不同的，其中ICEO很小 它的影响可以忽略， VBE（ON）的影响取决于VCC的大小，VCC越大， VBE（ON）的 影响越小，而?的影响最大，它随温度的变化直接反应在ICQ上，?不仅随温 度的变化，而且同一类型的管子，它的离散性也很大，因此提高偏置电路 的稳定性关键就是减小?变化对ICQ的影响。 2、分压式偏置电路：这是一种高稳定性的偏置电路 该电路对集电极电流有自动调节能力（负反馈） 当温度上升，ICQ和IEQ上升，R4上的直流电压VEQ上 升，在VBQ基本不变的情况下（ IBQ很小， I1IBQ VBQ近似为VCC在R2上的分压，或在R2 两端进行代文 宁等效,若R1//R2上分压较小可忽略，VBQ近似为开 路电压即VCC在R2上的分压= VCC R2 /（ R1+ R2 ） 发射结电压VBEQ下降，导致ICQ下降，阻止了ICQ上升 达到了稳定工作点的目的（亦可通过计算IEQ，发 现其大小基本与?无关IEQ= （VBQ - VBE（ON））/R3 ? ICQ 当?较大时。 为了提高这种自动抑制能力，R4应足够大，但R4不能过大，否则VCC加到管 子C、E两端的电压就过小，一般VEQ =0.2 VCC或VEQ =1--3V，其次必须减小R1 R2的电阻值，满足 I1IBQ条件 ，但R1，R2不能过小，否则I1过大，增加直流 电源消耗，而且增大了对输入信号源的旁路作用，一般取I1=（5--10）IBQ 由于不同类型场效应管对偏置电路极性要求不同，就栅源电压而言， N 沟道，结型和耗尽型MOS管， 栅源电压一般为负（耗尽型 MOS管栅源电压可 正可负可零）而增强型MOS管栅源电压一般为正（N沟道，开启电压），另外 场效应管栅极不取电流，故其偏置电路更简单。场效应管偏置电路根据其特 点有：分压偏置、自偏置和零偏置，如下所示： 如自偏置电路中，利用漏极电流在R2上的分压就可产生所需的栅源电压，R2 还能对漏极电流进行自动调节。对DMOS管还可采用零偏置。 另外还有双电源供电的偏置电路和恒流源偏置电路，双电源供电的偏置电路 见教材142页（基极接地，发射极接负电源），恒流源偏置电路后讲。 二、耦合方式： 在一个放大电路中，存在着三种连接：信号源（换能器）与第一级放大器之 间的连接；放大器级与级之间的连接；最后一级放大器与输出负载之间的连 接，下面主要介绍前两种连接，最后一种连接将在功率放大器中介绍。 1、信号源（换能器）与第一级放大器之间的连接：主要考虑两个方面，一 个是信号源与第一级放大器阻抗关系，各种信号源都可等效为电压源或 电流源，第一级放大器输入阻抗的大小于信号源的类型和放大的要求， 如进行电压放大应使第一级放大器输入阻抗远大于信号源内阻。另一个 是信号源的接入不影响放大器的静态工作点，而某些信号源为了保证换 能特性又不允许直流电流通过，为此一般采用电容耦合实现，如下图A 所示，电容CB起到隔直和通交的作用。 2、级间连接：有阻容耦合、变压器耦合、直接耦合，前两种耦合各级静态 工作点互不影响，主要用于分离元件电路中，而直接耦合广泛应 用于运 算放大器，各级静态 工作点相互影响，应 解决两个问题：级间 电平配置和温漂的有 害影响。 先讨论级间电平配置问题，在上图B所示直接耦合电路中，T1管的集电极 电位就是T2管的基极电位，接入Re2的目的是为了抬高T2的基极电位，以 保证T1管的正常工作，但这样作会使后级放大器的集电极电位越来越高 （后级的集电极电位高于起其基极电位即前级集电极电位）后级放大器的 Rc相应越小（否则后级放大器易进入饱和状态且输出信