[工学]模电1-2双极型三极管.ppt

②特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。 当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。 当PC PCM时，管子将被损坏。 ③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力 a.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 b.U(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 c.U(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压 几个击穿电压在大小上有如下关系 U(BR)CBO≈U(BR)CES＞U(BR)CER＞U(BR)CEO＞U(BR) EBO U(BR)CER表示BE间接有电阻， U(BR)CES表示BE间是短路的 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区 三极管的物理结构如图所示。 双极型三极管 物理模型 2.电路模型 rbe--- re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容，也用C?这一符号 ---集电结电阻 ---集电结电容，也用C?这一符号 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 --- 发射结电阻 r e 混合π型微变等效电路－物理模型 简化： 忽略rb’c 、 rce （3）参数计算 附录：半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 表02.01 双极型三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? * * * * 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 * * * 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和uBE之间的函数关系。 * *   半导体三极管有两大类型 1.双极型半导体三极管（三极管） 双极型半导体三极管