[信息与通信]第三章MOS管与集成电路中的器件结构.pptVIP

结构 顶视图 隔离的NPN双极型晶体管 场氧化层的作用 MOS管隔离 MOS器件结构 电阻的结构 电容的结构 接触孔、通孔和互联线 * * * * MOS管的结构与性能 授课人：刘 向 § MOS场效应晶体管 1、结构 2、反型层 3、阈值电压 4、电流与电压关系 5、两种工作模式 6、MOS管的分类 源极漏极之间的距离：沟道长度 L 沟道宽度（栅极宽度）：W  反型层的形成 反型层的形成 1、栅极电压，形成电容 2、耗尽层，电子浓度Ns与空穴浓度Ps 3、反型，由弱变强 4、阈值电压 阈值电压 Cox ——单位面积氧化层电容 ΦB —— 表面反型电势（0.6伏） NA —— 掺杂浓度 ?si —— 介电常数 电流与电压关系 电流与电压关系 电流与电压关系 工作模式 MOS管的分类 MOS管的分类 以沟道反型层的情况不同，可以把 MOS 管分成 4 种类型。 对于 N 沟器件来说，可分为增强（或称常闭）型和耗尽（或称常开） 型两种。 对于 P 沟器件，同样存在增强（常闭）型和耗尽（常开）型两种。 N沟 MOS管 P沟 MOS管 集成电路中的器件结构 授课人：刘 向 第 2 章中给出了二极管、双极型晶体管和 MOS 场效应晶体管的截面剖图（见图 2-14 、图 2-19 和图 2-31 ）。图中显示了这些器件的主要特征， 但这种结构不能直接用于集成电路之中， 在集成电路中它们的结构要复杂。 1、电学隔离的必要性和方法 2、二极管的结构 3、双极型晶体管的结构 4、MOS场效应晶体管的结构 5、电阻的结构 6、电容的结构 提纲 在现代集成电路技术中，通常采用以下两种电学隔离方法： ① 通过反向PN结进行隔离； ② 采用氧化物（二氧化硅）加以隔离。 电学隔离的必要性和方法 PN结隔离图 PN结隔离 氧化物隔离顶视图 二极管的制作步骤 用PN结隔离的三极管与衬底 双极型晶体管的结构 两个完全隔离的NPN三极管 具有埋层结构的NPN双极型晶体管 绝缘介质隔离工艺 采用PN结环隔离的NPN双极型晶体管