在MgO缓冲层以射频溅镀法制备La3Ga5SiO14薄膜与特性之研究.PDFVIP

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2018-02-18 发布于天津
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在MgO缓冲层以射频溅镀法制备La3Ga5SiO14薄膜与特性之研究.PDF

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在MgO缓冲层以射频溅镀法制备La3Ga5SiO14薄膜与特性之研究

科學與工程技術期刊第三卷第四期民國九十六年 69 Journal of Science and Engineering Technology, Vol. 3, No. 4, pp. 69-76 (2007) 在 MgO 緩衝層以射頻濺鍍法製備La Ga SiO 3 5 14 薄膜與特性之研究胡毅王逢偉林和龍大同大學材料工程學系台北市中山區中山北路 3段 40號摘要 La Ga SiO （LGS ）是一具有高機電耦合係數與幾近於零溫度延遲係數的新非鐵電型的壓 3 5 14 電材料。在本研究中嘗試使用射頻磁束濺鍍法以具有化學計量比的 LGS 多晶靶材來製備此新型材料。在矽基板與 MgO 緩衝層上即時沉積後的薄膜呈現一非晶質結構，均必須經過退火處理方可使其結晶化，在矽基板上需使用 1200°C 退火溫度，而在 MgO 緩衝層上則可降低至 1100°C 。本研究並同時偵測出 LGS 薄膜具有光致發光的現象，在使用 381nm 為激發光源下，可以發出具有 429nm 的藍光，並同時發現光致發光與結晶化的程度是有一定的關係。關鍵詞：La Ga SiO （LGS ），射頻磁束濺鍍，緩衝層，退火處理，結晶化，光致發光 3 5 14 Preparation and Characterization of Thin La Ga SiO Films 3 5 14 on MgO Buffer Layers by RF Sputtering YI HU, FENG-WEI WANG and HUR-LON LIN Department of Materials Engineering, Tatung University 40, Sec. 3, Jhongshan N. Rd., Jhongshan District, Taipei City 104 Taiwan ABSTRACT La Ga SiO (LGS) has high potential in applications as a new non-ferroelectric, piezoelectric