标准埋层双极晶体管SBC.docVIP

标准埋层双极晶体管SBC ------设计报告 版图全貌及版图说明 采用负胶工艺，版图尺寸：54μm×50μm L1版为埋层注入扩磷版 L2版为PN结隔离环的扩硼版 L3版为基区扩硼版 L4版为发射区和集电区扩磷版 L5版为金属引线孔 L6版为金属引线孔的反刻版 （以上各版另需翻刻一副，共计12块版。其中L6版有颜色的部分不保留） L1版为埋层注入扩磷版 尺寸大小：38μm×35μm L2版为PN结隔离环的扩硼版 尺寸大小：54μm×50μm L3版为基区扩硼版 尺寸大小：36μm×18μm L4版为发射区和集电区扩磷版 尺寸大小：34μm×23μm L5版为金属引线孔 尺寸大小：32μm×30μm L6版为金属引线孔的反刻版 尺寸大小：34μm×32μm 二、工艺流程图 L1版光刻，扩砷得N型埋层。 外延生长得到外延层 L2版光刻，扩硼得到隔离环 L3版光刻扩硼得基区 L4版光刻扩磷得发射区和集电极 L5版光刻，L6版反刻得金属电极。 工艺流程说明 一、热氧化惨杂浓度为的P型硅衬底，生长厚度约为500～1000nm的氧化层。 二、用L1版光刻，形成埋层窗口。 三、进行浓度为 As注入并退火得Xj=2μm，形成n+埋层。 四、利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层。 五、将硅片放入1150℃的外延炉中进行外延生长27分钟，得10μm外延层，浓度为。 六、生长氧化层，用L2版光刻，形成隔离扩散窗口。 七、采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在1000℃下进行12分钟的硼扩散，得到结深Xj=0.2μm。撤去恒定扩散源，在1300℃下进行90分钟的再扩散，得到结深Xj=10μm，形成P型隔离区。 八、生长氧化层，用L3版光刻，扩硼。采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在1000℃下进行12分钟的预扩散，得到结深Xj=0.2μm。撤去恒定扩散源，在1200℃下进行100分钟的再扩散，得到结深Xj=4μm的基区。 九、生长氧化层，用L4版光刻，扩磷。采用恒定源扩散进行预扩散，表面浓度为。在900℃下进行10分钟的预扩散，得到结深Xj=0.2μm。撤去恒定扩散源，在1000℃下进行100分钟的再扩散，得到节深Xj=2μm的发射区和集电极。 十、生长氧化层，用L5版光刻，刻蚀得引线孔。 十一、用L6版反刻，的金属电极。 附图