两次图像合成光刻中的叠层对准误差因素构成-半导体科技.PDFVIP

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两次图像合成光刻中的叠层对准误差因素构成-半导体科技

Semiconductor Manufacturing 193 (EUV) (PSDE) resist- on-resist[1-3] --litho-litho-etch,LLElitho-etch-litho- [4-6] [7-12] etch,LELE CD 1 1 1 pitch-split double 1 1 1 exposure, PSDE CD 5nm 5nm 5nm CDU Summary X (nm) Y (nm) Summary X (nm) Y (nm) Summary X (nm) Y (nm) [13] Mean -0.00 0.00 Mean 0.00 -0.00 Mean -0.00 0.00 Max 3 S.D. 21.84 11.28 Max 3 S.D. 20.20 9.37 Max 3 S.D. 8.50 6.40 Min -19.94 -12.01 Min -15.99 -8.60 Min -7.83 -4.97 Max 20.49 9.40 Max 14.53 7.85 Max 6.61 7.20 1. a) L1 b) L2 c) DEVA PDSE L1CDUL2CDU L1L2 L2 L1 litho-freeze-litho -- PDSE [8] PSDE PDSE L1 L2 DPL finite-element Archer 200 model, FEM[7] PSDE 1114 L2 L1 7149 2009 24mm 30mm LMS 11 IPRO4 [14] 4.4nm X4.1nm x Y 1nm + x x Venkat R

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