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第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 第1章 纳米材料概述 一般规律(以3Y-ZTP粉体干压后冷等静压制坯为例） ⑴随压力增大，素坯密度增加。P＜Pc时，团聚体重排；P＞ Pc时，团聚体破碎----只有压力大于Pc才能获得高质量素坯 。 ⑵相同压力时，颗粒越细素坯密度越低。 ⑶素坯密度ρ坯越高，越容易烧结致密。 2.超高压成形：P达1~5GPa，素坯密度大，但均匀性不如冷等静压坯。适于小件(＜5g)。 方法：电磁脉冲成形，机械干压成形(用BN和石墨粉作传压介质，使样品接近于等静压) 1050 1000 3.其它制坯方法：直接注浆成形(DDC)，凝胶铸(gel-casting)等。 (二)纳米陶瓷烧结 为控制晶粒长大，常采用组元掺杂、压力烧结、低温烧结、快速烧结等。 1.无压烧结 烧结三阶段：烧结初期、中期、末期 晶粒生长两阶段：缓慢长大；迅速长大 2.热压烧结：高温下加压，有利于颗粒接触,加强了扩散,提高了致密化驱动力(增加了附加压力)和致密化速率，同时抑制了晶粒生长。 附加压力的阈值：σ附必须超过一临界应力值（阈值），才能提高热压材料的密度。材料粒度越小，阈值越大。 3.两步烧结法 目的：避开烧结后期的晶粒生长。 方法：⑴较高温度烧结使坯体密度达70%以上；⑵较低温度下保温继续致密化。 例：Y2O3先升温至1310℃或1250℃，然后降至1150℃保温20h，得60nm致密体。 机理：控制温度，在控制晶界迁移（晶界迁移导致晶粒生长）的同时，保持界面扩散（致密化动力）处于活跃状态。 B.激光蒸发法：将一根金属催化剂/石墨混合的石墨靶放在长形石英管中间，该管置于加热炉内，1473K时，将惰性气体充入管内，并将一束激光聚集于石墨靶上，石墨靶蒸发的气态碳和催化剂粒子被气流从高温区带至低温区，在催化剂的作用下生长为SWNT 6.纳米碳管的提纯(略) 7. 纳米碳管的应用及其前景： ①纳米尺度的器件：探针（顶端愈尖锐，图像的分辨率愈与高；尖端愈长，能探测的表面愈深）；纳米导线、纳米管道、注射器、胶囊等； 纳米晶体管、分子级开关 ②场发射材料：固体表面施加强电场时，将电子封闭在固体内的表面势垒变得低而薄，由于隧道效应电子会向真空中放出，这一现象称为场发射。要形成场发射，表面上必须有107V/cm数量级的强电场。因此，常在顶部尖锐的金属针尖上施加负电压使电场集中在其尖端，CNT更尖、稳定、力学性能好，非常适合作场发射材料。 ③模板（用CNT做模板，对其进行填充、包敷和空间限制反应可合成其它一维纳米材料） ④复合材料增强体：环氧树脂CNT之间可形成数百兆帕的界面强度。 ⑤储氢