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SiC半导体放射线検出器

SiC半導体による放射線検出器の 開発?研究;内   容;宇宙空間物理学;;2.SiCについて      各種半導体の特徴;SiC(vs Si);Polytype(結晶多系);3.SiC Studyの簡単な歴史;Sample(SiC detector) made in 原研(高崎);測定試料;Photograph of Sample;4.静特性        I-V特性; I-V 特性;C-V特性,空乏層厚評価;浮遊容量を補正した C-V 曲線;Fig. 4. Pulse height distributions of the pn-SiC detector sample at different reverse bias voltages for UV light of 1μs width pulses at 100Hz.;   P11;P11;6.放射線照射     放射線耐性の研究 @原子力研究所高崎研究所;I-V特性(放射線照射後);Si;7. 現状のまとめ

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