低温微波加热系统-国家研究院.docVIP

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法人家研究院家奈米元件室壹目的格查文件肆教育伍收付款件柒保固低微波加系目的本招格用於下述之造及等之一般要求若本招格有任何疑依主解低微波加系整需求及格建如下量套程用台系可低活化台系可低氧化之形成系要求格程格低活化程度低氧化程度氧化厚度最低可成速率均度之形成度控制程度度控制於升或於矽晶片升速度晶度量控制矽晶片之射效度量接式型度感非接式度感微波能量控制低耗能微波能量微波能量率磁均度弧生程模提供片或多片至少三片程立之程控制系可用於晶晶可於程中旋增加均性提供之冷度程晶片之金供管路供微窗系形化介面碰式幕主系

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『』 規範書 壹、 目的 2 貳、 設備規範 2 參、 規格審查文件 7 肆、 教育訓練 7 伍、 測試與驗收 7 陸、 付款條件 9 柒、 保固 9 低溫微波加熱系統 目的 本招標規格書適用於下述之設計、製造、運輸及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。設備 低溫微波加熱系統整體需求規劃及規格建議如下:【數量:1套】 製程應用: 機台系統可低溫摻質活化(LTA) 機台系統可低溫氧化(LTO) NiSi(Nickel Silicide)之形成 系統要求規格 : 製程規格 低溫摻質活化(LTA),(200mm wafer

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