- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
法人家研究院家奈米元件室壹目的格查文件肆教育伍收付款件柒保固低微波加系目的本招格用於下述之造及等之一般要求若本招格有任何疑依主解低微波加系整需求及格建如下量套程用台系可低活化台系可低氧化之形成系要求格程格低活化程度低氧化程度氧化厚度最低可成速率均度之形成度控制程度度控制於升或於矽晶片升速度晶度量控制矽晶片之射效度量接式型度感非接式度感微波能量控制低耗能微波能量微波能量率磁均度弧生程模提供片或多片至少三片程立之程控制系可用於晶晶可於程中旋增加均性提供之冷度程晶片之金供管路供微窗系形化介面碰式幕主系
財團法人國家實驗研究院
國家奈米元件實驗室
『』
規範書
壹、 目的 2
貳、 設備規範 2
參、 規格審查文件 7
肆、 教育訓練 7
伍、 測試與驗收 7
陸、 付款條件 9
柒、 保固 9
低溫微波加熱系統
目的
本招標規格書適用於下述之設計、製造、運輸及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。設備
低溫微波加熱系統整體需求規劃及規格建議如下:【數量:1套】
製程應用:
機台系統可低溫摻質活化(LTA)
機台系統可低溫氧化(LTO)
NiSi(Nickel Silicide)之形成
系統要求規格 :
製程規格
低溫摻質活化(LTA),(200mm wafer
文档评论(0)