高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜.pdfVIP

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2018-01-20 发布于重庆
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高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜.pdf

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高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜

SooPAT 高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜申请号：200980138226.5 申请日：2009-09-24 申请(专利权)人JX日矿日石金属株式会社地址日本东京发明(设计)人福岛笃志新藤裕一朗岛本晋主分类号 C23C14/34(2006.01)I 分类号 C23C14/34(2006.01)I H01L21/285(2006.01)I 公开(公告)号102165093A 公开(公告)日2011-08-24 专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人王海川穆德骏注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102165093A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102165093 A (43)申请公布日 2011.08.24 (21)申请号 200980138226.5 (51) Int.C l. C23C 14/34 (2006.01) (22)申请日 2009.09.24 H01L 21/28 (2006.01) (30)优先权数据 H01L 21/285 (2006.01) 2008-253052 2008.09.30 JP (85)PCT申请进入国家阶段日 2011.03.28 (86)PCT申请的申请数据 PCT/JP2009/066480 2009.09.24 (87)PCT申请的公布数据 WO2010/038642 JA 2010.04.08 (71)申请人 JX 日矿日石金属株式会社地址日本东京 (72)发明人福岛笃志新藤裕一朗岛本晋 (74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人王海川穆德骏权利要求书 1 页说明书 9 页 (54) 发明名称高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜 (57) 摘要本发明提供一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其纯度为6N 以上，且P、S、O、C 各成分的含量各自为1ppm 以下，其特征在于，粒径0.5微米以上且20 微米以下的非金属夹杂物为30000 个/g 以下。本发明的课题在于，使用减少了有害的P、 S、C、O 类夹杂物的高纯度铜及高纯度铜合金作为原料，并抑制非金属夹杂物的存在形态，由此以良好的重现性减少使用高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。 A 3 9 0 5 6 1 2 0 1 N C CN 102165093 A 权利要求书 CN 102165096 A 1/1 页