光电检测器件PPT.ppt

光敏电阻是多数载流子导电，温度特性复杂。随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。 例如：硫化铅光敏电阻，随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动。 尤其是红外探测器要采取制冷措施 温度特性 光敏电阻参数 使用材料：硫化镉（CdS），硫化铅（PbS），锑化铟（InSb），碲镉汞（HgCdTe），碲锡铅（PbSnTe）. 光敏面：1-3 mm 工作温度：-40 – 80 oC 温度系数： 1 极限电压：10 – 300V 耗散功率： 100 W 时间常数：5 – 50 ms 光谱峰值波长：因材料而不同，在可见/红外远红外 暗电阻：108 欧姆 亮电阻：104 欧姆 光敏电阻的应用 基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。 基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路 基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。 照明灯自动控制电路 K 220V 灯 常闭 CdS 光电池 光电池是根据光生伏特效应制成的将光能转换成电能的一种器件。 PN结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于PN结上加一个正电压。 半导体内部产生电动势（光生电压）；如将PN结短路，则会出现电流（光生电流）。 光电池的结构特点 光电池核心部分是一个PN结，一般作成面积大的薄片状，来接收更多的入射光。 在N型硅片上扩散P型杂质（如硼）， 受光面是P型层 或在P型硅片上扩散N型杂质（如磷）， 受光面是N型层 受光面有二氧化硅抗反射膜，起到增透作用和保护作用 上电极做成栅状，为了更多的光入射 由于光子入射深度有限，为使光照到PN结上， 实际使用的光电池制成薄P型或薄N型。 光电池等效电路 光电池的特性 1、伏安特性 无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。 有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。 曲线与电压轴交点称为开路电压VOC，与电流轴交点称为短路电流ISC。 光电池伏安特性曲线 反向电流随光照度的增加而上升 I U 照度增加 2、时间和频率响应 硅光电池频率特性好 硒光电池频率特性差 硅光电池是目前使用最广泛的光电池 要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻RL； 光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面积越大则结电容Cj越大，在给定负载时，时间常数就越大，故要求短的响应时间，必须选用小面积光电池。 开路电压下降大约2?3mV/度 短路电流上升大约10-5?10-3mA/度 3、温度特性 随着温度的上升，硅光电池的光谱响应向长波方向移动，开路电压下降，短路电流上升。光电池做探测器件时，测量仪器应考虑温度的漂移，要进行补偿。 4、光谱响应度 硅光电池 响应波长0.4-1.1微米， 峰值波长0.8-0.9微米。 硒光电池 响应波长0.34-0.75微米， 峰值波长0.54微米。 5、光电池的光照特性 连接方式：开路电压输出---(a) 短路电流输出---(b) 光电池在不同的光强照射下可产生不同的光电流和光生电动势。 短路电流在很大范围内与光强成线性关系。 开路电压随光强变化是非线性的，并且当照度在2000lx时趋于饱和。 光照特性--- 开路电压输出：非线性(电压---光强)，灵敏度高 短路电流输出：线性好(电流---光强) ，灵敏度低 开关测量（开路电压输出），线性检测（短路电流输出） 负载RL的增大线性范围也越来越小。 因此，在要求输出电流与光照度成线性关系时，负载电阻在条件许可的情况下越小越好，并限制在适当的光照范围内使用。 光电池的应用 1、光电探测器件 利用光电池做探测器有频率响应高，光电流随光照度线性变化等特点。 2、将太阳能转化为电能 实际应用中，把硅光电池经串联、并联组成电池组。 1、热噪声 或称约翰逊噪声，即载流子无规则的热运动造成的噪声。 导体或半导体中每一电子都携带着电子电量作随机运动(相当于微电脉冲)，尽管其平均值为零，但瞬时电流扰动在导体两端会产生一个均方根电压，称为热噪声电压。 热噪声存在于任何电阻中，热噪声与温度成正比，与频率无关，热噪声又称为白噪声 2、散粒噪声 散粒噪声：入射到光探测器表面的光子是随机的，光电子从光电阴极表面逸出是随机的，PN结中通