金属中电子的势阱和脱出功.pdfVIP

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2018-01-14 发布于河北
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金属中电子的势阱和脱出功.pdf

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金属中电子的势阱和脱出功

§6-2 功函数和接触势差 2. 热电子发射一、热电子发射和功函数电子获得足够的能量有可能脱离金属，产生 1.功函数热电子发射电流。电子在深度为χ 的势阱 W 内，要使费米面上的电子逃离 χ 热电子发射电流密度: Ｅ金属，至少使之获得W = χ －Ｆ W Ｅ的能量，W称为脱出功又称 −k T Ｆ j ~ e B W —— 功函数为功函数。脱出功越小，电子金属中电子的势阱和脱出功脱离金属越容易。 2 3 +∞ +∞ mv − (1)经典电子论热电子发射电流密度的计算 m 2 2kB T j n ( ) dv dv dv (−qv )e 0 y z x x ∫ ∫ ∫ 2πk T 电子服从麦克斯韦速率分布率 B −∞ −∞ 1mv2 χ 2 χ 速度在 v →v +dv 区间的电子数密度