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2018-01-14 发布于河北
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SVF9N90F(PN)说明书_1.0-L

SVF9N90F/PN 说明书 9A、900V N沟道增强型场效应管描述 2. 漏极 SVF9N90F/PN 是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制 1. 栅极造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 3. 源极器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 1 1 ∗ 9A，900V，R =1.10Ω@V =10V 2 2 DS(on) （典型值） GS 3 3 ∗ 低栅极电荷量 TO-3PN TO-220F-3L ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装 SVF9N90F TO-220F-3L SVF9N90F 无铅料管 SVF9N90PN TO-3PN 9N90 无铅料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.0 2012.05.30 Http:// 共8页第1页 SVF9N90F/PN 说明书极限参数（除非特殊说明，T =25°C ） C 参数范围参数名称符号单位 SVF9N90F SVF9N90PN 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 9.0 C 漏极电流 ID