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功率问题面面观 纲要： 一、 为什么要探讨功率问题？ 二、 由实验现象所得出的猜想。 三、 由电路模型来解释实验现象，进一步从理论上验证。 四、 用电路模型验证已有的产品功率问题。 五、 如何改善功率的问题？ 六、 如何计算功率容量的问题？ 一、为什么要探讨功率问题？ 大家都知道，大功率是我们公司一直以来都存在的问题，如何解 决这个问题，并总结出有价值的经验公式，成为目前比较迫切的难题。 现成的功率问题比较好解决，但要做到在设计产品之前就控制功率的 容量，避免不断的修改腔体，以提高产品设计的成功率。 依据遇上的实际问题，改善功率容量有各种各样的方法，比如说 谐振杆底部和调谐螺杆底部打火，我们可以选择把谐振杆底部车细， 或是把谐振杆加高等等，这都是比较直观的认识，更深入一点，我们 这样做，究竟是改变了什么？电场电容，驻波，单腔 Q 值，时延还 是插损，他们之间又有什么样的联系？带着这些问题，用实物做实验， 找出功率的改善究竟和什么有关？ 二、 由实验现象所得出的猜想。 （一）选用 1.9GA CDDU 合路器做实验：（0.5 个大气压） 首先让插损变化，看看功率容量的变化： 插损 （db ） 0.65 0.7 0.75 最大功率(w) 330 380 290 1. 8G EDU： 插损 （db ） 0.7 0.85 0.99 最大功率 （w ） 110 450 610 从以上的实验可以看出，实验现象和我们以前的认识存在矛盾， 一般我们认为插损越大，功率容量会下降，但数据说明了，插损 和功率不存在一个单调变化的过程，下面我们同样用 1.8G EDU （二）驻波实验： 驻波系数 1.18 1.4 1.8 功率容量 （W ）440 350 640 经过反复实验，得到以上几个比较具代表性的数据，数据说 明了，驻波的变化，不是和插损存在单调变化的效果，进而推断， 功率和驻波不存在直接关系。 （三）时延实验： 就着以上的实验，把每次做实验的时延图存下来，并把边频时延 罗列如下： 1.8G ACDDU 合路器: 时延 （ns ） 52.76 50.25 48.73 功率容量 （w ） 290 330 380 1.8G EDU: （边频 1803MHZ） 时延 （ns ） 93.8 92.458 89.2 功率容量 （w ） 140 450 610 经过多次实验，发现时延和功率容量存在单调关系，于是，我们 不妨假设他们存在直接关系。 （四）走腔形式的不同，是否也有关系？ 921MHZ DDMR 第二腔打火，有飞感横跨 900MHZ RDFU，第二腔和第四腔打火，其中二 四腔是飞感腔； 800MHZ ACDDU 第三腔打火，飞感特点：2 和4 腔是飞感腔。 经过收集打火产品，发现走腔形式和大功率打火没有什么规律， 走腔形式多样，打火的位置也不一样。 纵观以上几个实验，初步推断，功率容量和通带时延有直接的 关系，而和驻波，插损和排腔形式不存在直接关系。 下面，运用电路模型，证明时延和功率容量有直接关系，并 试图找出和时延直接相关的物理量。 三、如何用电路模型，预算出打火位置，以及怎样从 理论上得出解决问题的方法。 下面用900MHZ RDFU的参数进行建模： 借鉴前人电压仿真的方法，得到以下各腔电压幅值： 从上面的图形可