茂捷M5835兼容RM3261.docVIP

描述 M5835是一种高性能离线式PWM控制器，主要用于中小功率AC/DC充电器和适配器中。它工作于原边采样和调节，可省除极间光耦和TL431，其恒压和恒流控制特性说明如下图。最大输出功率可达15W。 在恒流控制时，其电 流和 输出功率的设定可由SEN脚上的电流取样电阻Rs来调节；在恒压控制时，利用混合工作模式可以获得 高效率和高性能。另外，利用内部的导线压降补偿功能可以得到良好的负载调整特性。在恒流模式重负载工作条件下，器件工作在PFM模式,中负载和轻负载，器件可工作在PWM模式和降频模式。 特征 全电压范围内，恒压调节精度误差5%，恒流调节精度误差5% 原边采样和调节，无需光耦和TL431 可编程CV和CC调节 可设定恒流和输出功率 内置原边反馈恒流控制 内置自适应峰值电流调节 内置原边变压器电感补偿 可外部调整的输出线压降补偿 开机软启动 内置MOS开关管 内置前沿消隐电路（LEB） 可逐周期电流限制 带有回差的欠压锁定（UVLO） VDD过压保护（OVP） VDD箝位功能 应用领域 适用于中小功率AC/DC离线式开关电源 手机充电器 数码相机充电器 小功率适配器 PC、TV等电器的辅助电源 线性调节器/替代RCC变换器 恒流LED照明 典型应用图 图1典型应用图 型号 封装 单电压180-264V 全电压85-264V 开放式 封闭式 开放式 封闭式 M5835 SOP-8 4W 3.5W 3.5W 3W M5836 DIP-8 9W 8W 8W 7.5W M5838 DIP-8 18W 13.5W 13.5W 12W 引脚功能描述 管脚 描述 VDD 芯片电源输入 COMP 误差放大器输出，用于环路补偿 INV 电压检测，外接分压电阻检测辅助绕组电压，调整芯片恒压恒流 SEN 电流检测输入，通过检测连接SEN到地电阻的电压来反映原边电感电流 DRAIN 内部MOS管漏极，连接到变压器 GND 地 引脚配置 图2引脚配置图 极限参数 项目 值 单位 最小值 最大值 VDD直流供电电压 -0.3 26 V VDD齐纳嵌位电流 10 mA COMP输入电压 -0.3 7 V SEN输入电压 -0.3 7 V INV输入电压 -0.3 7 V OTP输入电压 -0.3 7 V 最小/最大工作结温 -20 150 ℃ 最小/最大贮存温度 -55 165 ℃ 最高温度(焊接,10秒) 260 ℃ 内置MOS管耐压值 650 V 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅仅是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。芯片框图 图3芯片框图 应用信息 M5835是一颗高性价比开关电源芯片，用于低功耗离线式AC/DC电源适配器与电池充电器。芯片通过原边取样来进行输出电压的调整，由此可以节省光耦与TL431。M5835内置恒流/恒压控制电路，由此获得较高的恒流/恒压精度，可以满足绝大部分电源适配器与电池充电器的使用要求。由于具有恒流特性，因此也可以应用于LED市场。 启动电流和启动控制 M5835的启动电流非常低，所以VDD端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的电阻，在满足启动要求的同时，减小工作时的损耗。 工作电流 M5835的工作电流低至2.5mA，所以VDD启动电容可以取更小值，同时借助于多工作模式的特点，可以提高整体效率。 软启动 M5835内置有软启动功能，可以减少系统上电启动时各元器件的电压应力。当VDD电压达到UVLO(OFF)时，芯片内部电路会将峰值电流阈值电压逐渐提升，具体来说是由接近于0V提升至正常工作时的0.9V。芯片的每一次重启都会伴随着这个软启动过程。 恒流/恒压工作 M5835在充电器应用中，未充电的电池首先在恒流状态下进行充电，当电池将要充满时，充电阶段会转换为恒压模式。在电源适配器的应用中，系统正常只工作于恒压状态。在恒流模式下，系统限定了输出电流，并且不论输出电压如何下降，系统只确保输出电流恒定。而在恒压模式下，系统通过原边取样来进行输出电压的调整。 工作原理 为了确保实现M5835的恒流/恒压控制，反激电源系统需要设计工作于断续模式（DCM）下，具体可以参见前面的典型应用图1。当反激系统工作于断续模式下，输出电压可以通过辅助线圈来取样。在功率MOSFET导通阶段，负载由输出端电容Co来提供，此时原边电流上升。当功率MOSFET关断时，原边电流按下述等式1.1向副边传递： 辅助绕组电压如下式： 通过在辅助线圈与INV（PIN3）之间设置电阻分压电路，辅助线圈的电压在每个消磁阶段将结束的时候被采样，并且这个采样电压将