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半导体器件模拟软件ISE-TCAD
科技信息 O科教前沿O 2012年第33期
CAD
半导体器件模拟软件ISE—T
袁博 陈世彬
(西安工业大学理学院 陕西西安710021)
室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真．并取得了有价值的敷据。从模拟图的结果可知室温(303K)且偏压较低时，电流随着
电压呈指数关系增长．W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0．2v：偏压较高时，电流增加缓慢．串联电阻效应明显。模拟值表明反向电流敷
值比正向数值小几个数量级．
【关键词】ISE—TCAD；MDRAW：DESSIS：l-V特性
The SoftwareofSemiconductorDeviceISE—TCAD
Simulafion
ofthisthesisisOHthesemiconductorsireulationsoftwareofISE—TCADaleintroducedin tOintroducethe
[Abstract】Thepurpose detail．aims
and
sofiwafesimulationmethod．SemiconductorsireulationsoftwareISE-TcADwasusedtOsireulateW／SiCSBDforward characteristics
volrage
reverse characteristicsatroofn andthevMuableresult8wereachieved．Atroom bias W88low，the
voltage temperatures temperature(303K)．ifvoltage
of
currentwillbe with theturn-on W／SiC barrierdiodeWasabout0．2V．Ifbias Was
exponentialgrowingvoltage，and voltage Schottky voltagehigh．
be current
thecurrentincreasedwilI slOW．andtheseriesresistanceeffectwillbecomeobvious．Arevel．s4．·currentvalueWaslessth帅theforward
of
v$doesseveralordel3
magnitude．
wordslISE—TcAD：MDRAW；DESSIS：1-Veharacteristics
【Key
工艺及器件仿真工具IsE—
TCAD是瑞士ISEfIntegrated
1公司开发
SystemsEngineering
的生产制造用设计(DFM：
For
DesignManufacturability)软
件．是工艺及仿真工具Dios(二
维)FLOOPS—ISE(三维)以及
Ligament(工艺流程编辑)系列
工具．将一维、二维和三维仿真
集成于同一平台．是一种建立
在物理基础上的数值仿真工
具。软件包是由多个模块组成
的．主要是工艺仿|l‘工具DIOS、
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