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* * 2.1概述 V0=高电平“1”；V0=低电平“0”———正逻辑 V0=高电平“0”；V0=低电平“1”———负逻辑 2.2 二极管和三极管开关特性 2.2.1 二级管的开关特性 硅：0.5~0.7V 锗：0.2~0.3V 例： VI=VI H, D截止, V0=VCC VI=VI L, D导通, V0≈ VI L 钳位作用 2.2.2三极管开关特性 (1)VI≤0, Vbe≤=0, 截止区ib=0,ic=0,V0=Vcc (2)VI ≥ 0, ib≥ Ibs（饱和） 饱和区特点： Vbe、 Vce正偏 Vce≈ (0.1~0.3)V V0 =(0.1~0.3)V 三极管输入输出关系：非门关系 VI=0，VO=1；VI=1，VO=0 第二章 门电路 例：有下面电路判断VI=0和VI=3.3时，问T（transistor) 分别工作在什么状态。 解：1) VI=3.3 V Ib Ibs T饱和 方法：先算出Ib，在通过假设算出Ibs与之比较。 2) VI=0V， Vb0, T截止。 若T假设饱和时 2.2.3MOS管的开关特性 MOS管:金属-氧化物—半导体场效应管 一、 MOS管的四种类型: N沟道增强型 P沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 MOS管又叫绝缘栅，二氧化硅绝缘栅。 增强型VGS=0，不存在导电沟道; 耗尽型VGS=0，已存在导电沟道. MOS管结构示意图 N沟道增强型： 二、MOS管的工作原理（以N沟道为例） :浓度高N型杂质 开始：（不带电 ） NP-PN不通 1）DS短路，在GS之间加上正电压，造成了栅极积累 了大量正电荷，在半导体内感应了负电荷。当 — 形成通路。称VGS=VGS(th)门槛电压 VGSVGS(th)沟道加宽 2）DS加正电压（D+，S-）形成ID VGS升高 沟道截面积加大 VGS控制ID 共源接法下的输出特性曲线：（漏极特性曲线） 特性曲线分三个区： 1)VGSVGS（th) 夹断区（截止区） 2）VGSVGS(th) 可变电阻区 恒流区 可变电阻区：VGS一定时，VDS/iD=常数，线性区 为了得到较小的导通电阻，应取尽可能增大VGS 。 恒流区：iD由VGS决定, VDS变化对iD的 影响很小。 因为栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层所隔离，在 栅极和源极间加上电压VGS以后，不会有栅极电流 就不必再画输入特性曲线了。 总结（增强型MOS） N沟道：1）GS相连 2）VGS=0，没有导电沟道； VGS=VTN，形成导电沟道； VGS VTN，沟道加宽 3）VDS加正电压，形成ID。 4）栅极被隔开（SIO2），没有栅流。 5）关键点G P沟道增强型 P沟道增强型MOS管特点 1。BS相连 2。关键点G VGS=0 没有导电通道 管子导通 3。漏源加负电源形成ID电流。 N沟道耗尽型： 结构与N沟道增强型MOS管相同，都采用P型 衬底，导电沟道为N型。不同的是栅极下面的 二氧化硅层掺进了一定浓度的正离子，将电子 吸引到栅极下，在D-S间形成导电沟道。因此， 当 VGS=0时就已经有导电沟道存在了。 VGS为正时导电沟道变宽， iD增大； VGS 为负时，导电沟导变窄，iD减小。 直到 VGS小于某一个负电压值VGS(off)时， 导电沟道才消失。 VGS(off)称为N沟道耗尽型