薄膜晶体管制备技术研讨.pdfVIP

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2018-01-10 发布于广东
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薄膜晶体管制备技术研讨.pdf

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摘要 film 高质量的平板显示器件的核心是薄膜晶体管(Thin 阵列的性能和制备技术。本文以研制出具有实用特性的TFT为目标，从掌握TFT制备技术出发，结合现有的实验条件，围绕TFT的有源层材料，在 TFT的制备工艺和测试等方面开展了工作。首先，研究了a．Si：H E塑料基底上 TFT的制备工艺。在玻璃和Kapton 分别制备了单个a．Si：HTFT及其阵列，所制备的TFT具有以下性能：关态 x x 电流I。fr≈110‘14A，开态电流I。n≈1 10一A，阈值电压Vtll≈5V，迁移率肛≈ O．1cm2／(Vs)，亚阈值斜率S≈4V／dec。其次，研究了a．IGZOTFT的制备工艺。系统研究了退火、绝缘层、氧空位、保护层和N掺入量等制备工艺对a．IGZOTFT性能的影响。在硅 TFT：片基底上制备了以下性能的单个a．IGZO Ion～10一A，Io．／Io∥106， TFT的光敏性能研究：光照后a．IGZONTFT在关态具有较大的光电流增益，可望在光电传感器上得到应用。最后，系统研究了a．IGZOTFT的各种可靠性， TFT能包括栅压偏应力、水氧稳定性、光照稳定性及温度偏应力。a．IGZO 满足有源显示的应用要求。 TFT，a．IGZO 关键词：a-Si：H TFT，制备工艺。 Abstract Thinfilmtransistor isa tothe flat master key high—resolution paneldisplay．To the fabrication ofthis istofabricate TFTwith technology,thetarget paper practical existed andtestwork equipments．The ofTFThavebeendone． depositionprocess Bottomstructurea-Si：HTFT was standardPECVD gate array depositedby at300。Con and E substratewiththicknessof process glassKaptonplastic 501am．The Hatomisof15．6％contentina—Si：Hfilmand inSilland mainlyappeared SiH2 electrical ofn+a．