蓝宝石衬底材料的化学机械抛光及机理研讨.pdfVIP

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2018-01-10 发布于广东
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蓝宝石衬底材料的化学机械抛光及机理研讨.pdf

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2005年11月第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议珠海蓝宝石衬底材料的化学机械抛光及机理研究牛新环木刘玉岭檀柏梅王胜利赵之雯 (河北工业大学信息学院微电子学与固体电子学重点学科，天津，300130) 摘要：本文利用碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光(简称CMP)的机理及其理论模型进行了深入的研究，完善了蓝宝石CMP抛光速率的半经验公式。根据实验数据，就温度、压力及pH值对CMP抛光速率的影响进行了详细的讨论，得出了这些参数对蓝宝石衬底CMP过程及加工表面质量的影响趋势。关键词：化学机械抛光：蓝宝石；衬底；理论模型；去除速率 PACC：8160，6855，6860 onChemicalMechanical and Study PolishingTechnique MechanicsofSubstrate Sapphire NiuXinhuanLiu TanBaimei ZhaoZhiwen Shengli Yuling Wang andsolidelectroniCS ofinformation (Microelectronics majorsubject，school of engineering，HebeiUniversityTechnology，Tianjin，300130) Abstract：Thechemicalmechanical of substratewas polishingsapphire processed modeof meansofalkali mechaniCSandtheoretical by Sfurry．The sapphire the of substrateCMPwerediscussed．The formulaof removalrate semi—empirical CMPwas influenceof and valueonCMP pH sapphire got。The temperature、pressure removalratewasdi andtheresultsthatthesefactorsinfluence scussed， rateandwafersurface were polishing qualitygot． Keywords：Chemical mode： Removalrate 1I引言蓝宝石(Sapphire)，又称白宝石，分子式为A120。，透明，与天然宝石具有相同的光学特性和力学性能，有着很好的热特性，极好的电气特性和