CMOS IC的工艺集成.pptVIP

* 1、 2、埋层——隔离墙——P扩区——N扩区——引线孔——金属连线——钝化窗口 3、PN结隔离、介质隔离、PN结介质混合隔离 4、欧姆接触电极，在外延层电极引出处增加浓扩散 5、减小串联电阻、减小寄生PNP晶体管的影响 1、做N阱——场区氧化——做硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD 掩N阱——有源区——硅栅——P型注入——N型注入——接触孔——金属1——通孔——金属2——PAD。 2、作用：提高场区阈值电压、减缓表面台阶、减小表面漏电流。 3、作用：在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 4、为做P型MOS管提供衬底。 5、利用硅栅自对准，进行N型或P型扩散形成的。 * * 1)　CVD淀积一层厚约1000A的氧化硅； 2)　用离子溅射刻蚀掉大部分氧化硅，当多晶硅露出来后停止反刻。 * * 1 * 1 * 1 * 1 * * * * * * 钛是做金属接触的理想材料，也是可行的选择。 钛的电阻很低，同时能够与硅发生充分反应，生成钛的硅化物； 2) 钛和氧化硅不发生反应，因此能轻易地从氧化硅表面除去，而不需要额外掩膜； 3) 而钛的硅化物则在所有有硅的表面保留了下来。 * 　　在制作浅结的可靠的欧姆接触时，为了防止电迁移现象，必须使用一种阻挡层金属化工艺， 即在铝下面淀积一层薄的阻挡层金属； 　　阻挡层金属必须具有硅和互连金属在其中的扩散率都小的性质，导电性必须好，且与半导体 和互连金属间有好的粘附性； 　　最早广泛使用的是TiW合金，后来改进的工艺用TiSi2，现在使用的更广泛的是TiN. * 1 * 1 * * 1 * * * * * * * 钛是淀积于整个硅片上的第一层金属，它提供了钨塞和下一层金属铝之间的良好键合。 　同样它与层间介质材料的结合也非常紧密，提高了金属叠加结构的稳定性； 2) 真正的互连线是在有钛覆盖的硅片上淀积的铝铜合金，铝中加入１%的铜提高了铝的稳定性； 3) 在铝铜合金层上淀积一薄层的氮化钛充当下一次光刻中的抗反射层和阻挡层。 * * * * * 1 * 1 * 制作通孔1的3个主要步骤： 1）第一层层间介质氧 化物淀积(化学气 相淀积) 2）氧化物磨抛 3）第九层掩膜,第一 层层间介质刻蚀 （1）制作通孔1 * * 制作第一层钨塞 的4个主要步骤： （2）制作第一层钨塞 1）金属淀积钛阻挡层 （PVD）2）淀积氮化钛 (CVD) 3）淀积钨 (CVD) 4）磨抛钨 * * 多晶硅 钨 LI 钨塞 By Integrated Circuit Engineering Company * * 第一层金属(金属1)互连的4个主要步骤： 1）金属钛阻挡层淀积 2）淀积铝铜合金 3）淀积氮化钛 4）第十层掩膜，金属刻蚀 * * 第一层金属在第一套钨通孔上的 SEM 显微照片 TiN metal cap Mag. 17,000 X Tungsten plug Metal 1, Al * * 制作通孔2的4 个主要步骤： 1）ILD-2间隙填充 2）ILD-2氧化物淀积 3）ILD-2氧化物平坦化 4）第十一层掩膜 , ILD-2 刻蚀 （1）制作通孔2 * * 制作第二层钨塞的4个主要步骤： 1）金属淀积钛阻挡层 2）淀积氮化钛( CVD ) 3）淀积钨 ( CVD) 4）磨抛钨 （2）制作第二层钨塞 * * 形成第二层金属 (金属2)互连 的4个主要步骤： 1）淀积、刻蚀金属2 2）填充第三层层间介质间 隙 3）淀积、平坦化ILD-3 氧 化物 4）刻蚀通孔 3，淀积钛 /氮 化钛，淀积钨，平坦化 * * * * * 铝线 PSG 场氧 栅极氧化膜 P+区 P-well N-型硅极板 多晶硅 N+区 * P-well P+ P+ Ｎ+ Ｎ+ 掩膜九：光刻通孔 掩膜十：光刻金属 * Circuit