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高功率LED封装基板技术分析

高功率LED封装基板技术分析 前言   技术上高功率LED封装后的商品,使用时散热对策成为非常棘手问题,在此背景下具备高成本效益,类似金属系基板等高散热封装基板的发展动向,成为led高效率化之后另一个备受嘱目的焦点。   本文要介绍LED封装用金属系基板的发展动向,与陶瓷系封装基板的散热设计技术。   发展历程   图1是有关LED的应用领域发展变迁预测,如图2所示使用高功率LED时,LED产生的热量透过封装基板与冷却风扇排放至空气中。   以往LED的输出功率较小,可以使用传统FR4等玻璃环氧树脂封装基板,然而照明用高功率LED的发光效率只有20~30% ,而且芯片面积非常小,虽然整体消费电力非常低,不过单位面积的发热量却很大。   如上所述汽车、照明与一般民生业者已经开始积极检讨LED的适用性(图3),一般民生业者对高功率LED期待的特性分别是省电、高辉度、长使用寿命、高色再现性,这意味着高散热性是高功率LED封装基板不可欠缺的条件。   一般树脂基板的散热极限只支持0.5W以下的LED,超过0.5W以上的LED封装大多改用金属系与陶瓷系高散热基板,主要原因是基板的散热性对LED的寿命与性能有直接影响,因此封装基板成为设计高辉度LED商品应用时非常重要的组件。   金属系高散热基板又分成硬质(rigid)与可挠曲(flexible)系基板两种(图4) ,硬质系基板属于传统金属基板,金属基材的厚度通常大于1mm,硬质系基板广泛应用在LED灯具模块与照明模块,技术上它是与铝质基板同等级高热传导化的延伸,未来可望应用在高功率LED的封装。   可挠曲系基板的出现是为了满足汽车导航仪等中型LCD背光模块薄形化,以及高功率LED三次元封装要求的前提下,透过铝质基板薄板化赋予封装基板可挠曲特性,进而形成同时兼具高热传导性与可挠曲特性的高功率LED封装基板。 硬质系基板的特性   图5是硬质金属系封装基板的基本结构,它是利用传统树脂基板或是陶瓷基板,赋予高热传导性、加工性、电磁波遮蔽性、耐热冲击性等金属特性,构成新世代高功率LED封装基板。   如图所示它是利用环氧树脂系接着剂将铜箔黏贴在金属基材的表面,透过金属基材与绝缘层材质的组合变化,可以制成各种用途的LED封装基板。   高散热性是高功率LED封装用基板不可或缺的基本特性,因此上述金属系LED封装基板使用为铝与铜等材料,绝缘层大多使用充填高热传导性无机填充物(Filler)的填充物环氧树脂。 ?铝质基板是应用铝的高热传导性与轻量化特性制成高密度封装基板,目前已经应用在冷气空调的转换器(Inverter)、通讯设备的电源基板等领域,铝质基板同样适用于高功率LED的封装。   图6是各种金属系封装基板的特性比较,一般而言金属封装基板的等价热传导率标准大约是2W/m?K,为满足客户4~6W/m?K高功率化的需要,业者已经推出等价热传导率超过8W/m?K的金属系封装基板。   由于硬质金属系封装基板主要目的是支持高功率LED的封装,因此各封装基板厂商正积极开发可以提高热传导率的技术。   硬质金属系封装基板的主要特征是高散热性。图7与图8是仿真分析LED芯片发热量为1W时,2W/m ?K一般封装基板与8W/m?K超高热传导封装基板正常使用状态下的温度分布特性。   由图8可知使用高热传导性绝缘层封装基板,可以大幅降低LED芯片的温度。此外基板的散热设计,透过散热膜片与封装基板的组合,还可望延长LED芯片的使用寿命。   金属系封装基板的缺点是基材的金属热膨胀系数非常大,类似低热膨胀系数陶瓷系芯片组件焊接时,容易受到热循环冲击,如果高功率LED的封装使用氮化铝时,金属系封装基板可能会发生不协调问题,因此必需设法吸收LED模块的各材料热膨胀系数差异造成的热应力,藉此缓和热应力提高封装基板的可靠性。   可挠曲系基板的特性   可挠曲基板的主要用途大多集中在布线用基板,以往高功率晶体管与IC等高发热组件几乎不使用可挠曲基板,最近几年液晶显示器为满足高辉度化需求,强烈要求可挠曲基板可以高密度设置高功率LED,然而LED的发热造成LED使用寿命降低,却成为非常棘手的技术课题,虽然利用铝板质补强板可以提高散热性,不过却有成本与组装性的限制,无法根本解决问题。   图9是高热传导挠曲基板的断面结构,它是在绝缘层黏贴金属箔,虽然基本结构则与传统挠曲基板完全相同,不过绝缘层采用软质环氧树脂充填高热传导性无机填充物的材料,具有与硬质金属系封装基板同等级8W/m?K的热传导性,同时还兼具柔软可挠曲、高热传导特性与高可靠性(表1),此外可挠曲基板还可以依照客户需求,将单面单层面板设计成单面双层、双面双层结构。   高热传导挠曲基板的主要特征是可以设置高发热组件,并作三次元组装,亦即它可以发挥自由弯曲特性,进而获

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