掺硅水平砷化镓单晶的产业化.pdf

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2018-01-12 发布于广东
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. ! : 掺硅水平砷化林单晶的产业化 ! 蛋怪武壮文 (工，北京有色金属研究总院，北京 100088;2.国瑞电子材料有限贵任公司，河北廊坊 065000 摘要:本丈阐述了光电干材杆接硅水平砷化稼单原国家半导体工程材料研究中心化合物半导体研究晶的产业化过杜，并就设备、工艺上的一些问题进室的基础上组建了国瑞电子材料有限责任公司。担行了讨论.获并了一些有益的结果.本文提出了评负起开发生产以H日-GeA和‘GaP为主的化合物半导价产业化结果的四个f化指标，供大家参考. 体材料的重任。2000年6月30日.在河北廊坊举行关锐词:HB-GaAs;产业化，工艺技术了HB-GaAs生产车间全线开通仪式。水平炉达到了 26台。月产单晶100-140kg.合计片子，000-8000 1 引言片。实现了HB-GOM单晶的产业化。本文将就工程的建设和产业化的过程及产业化近几年来，光电子方面的应用发展迅速。交通的工艺研究和结果等进行阐述、分析和讨论。供大 1 苦信号灯、交通指示灯、显示阵列等都由热光源向冷家参考。 ‘ 胜， . 光源转移。以LED为代表的发光器件、显示器件发 . 砂 . 展迅速。因此，极大地刺激了光电子材料的开发生 2工程建设和设备的安装幸