台大 化学分析资料 4Chapter2_report X 光單晶繞射分析及X 光粉末繞射分析.pdfVIP

第二章第二章 X 光單晶繞射分析及光單晶繞射分析及X 光粉末繞射分析光粉末繞射分析含含( Rietveld refinement) 第二章第二章 光單晶繞射分析及光單晶繞射分析及 光粉末繞射分析光粉末繞射分析含含 張嵩駿，許惠婷，許昭雄，周憲辛 台灣大學化學系 摘要摘要 摘要摘要 自從自從 1912 年德國物理學家年德國物理學家Max Von Laue 以以X 光照射硫酸銅晶體產生繞射情形，證實光照射硫酸銅晶體產生繞射情形，證實X 光是一種波射線，以及晶體內光是一種波射線，以及晶體內 自從自從 年德國物理學家年德國物理學家 以以 光照射硫酸銅晶體產生繞射情形，證實光照射硫酸銅晶體產生繞射情形，證實 光是一種波射線，以及晶體內光是一種波射線，以及晶體內 部所組成原子具有規則性排列以來，部所組成原子具有規則性排列以來， X 光結晶學之發展與研究應用可說是一日千里。對於近年來世界各國競相發展之材料科光結晶學之發展與研究應用可說是一日千里。對於近年來世界各國競相發展之材料科 部所組成原子具有規則性排列以來，部所組成原子具有規則性排列以來， 光結晶學之發展與研究應用可說是一日千里。對於近年來世界各國競相發展之材料科光結晶學之發展與研究應用可說是一日千里。對於近年來世界各國競相發展之材料科 學而言，學而言，X 光結晶學提供了一個十分基本且非常有效的分析方法。本文將針對光結晶學提供了一個十分基本且非常有效的分析方法。本文將針對X 光單晶繞射分析、光單晶繞射分析、X 光粉末繞射分析以及光粉末繞射分析以及 學而言，學而言， 光結晶學提供了一個十分基本且非常有效的分析方法。本文將針對光結晶學提供了一個十分基本且非常有效的分析方法。本文將針對 光單晶繞射分析、光單晶繞射分析、 光粉末繞射分析以及光粉末繞射分析以及 其應用作一大致之介紹。其應用作一大致之介紹。 其應用作一大致之介紹。其應用作一大致之介紹。 關鍵字關鍵字 : X 光繞射、單晶繞射、粉末繞射、光繞射、單晶繞射、粉末繞射、Rietveld 關鍵字關鍵字 光光繞射、單晶繞射、粉末繞射、繞射、單晶繞射、粉末繞射、 1引言引言 另一種產生 X 光的方法也是以高速電子撞到靶標 引言引言 原子，但不同的是，高速電子將能量傳給原子中的電 自從 Röntgen 於1895 年發現X射線，1912 年Laue 子，使原子內層軌域的電子被激發，隨之外層電子躍 -8 遷到空出的內層軌域位置，因不同軌域的能階差放出 由於得知 Ewald用 10 cm間隔的結晶模型，首先提出 以結晶為X 光的光柵，也發表了硫酸銅結晶的X 光繞 X 光，此 X 光和原子種類有關，稱為特性輻射 射圖，之後三年 Bragg 父子相繼導出結晶面間距離公 (Characteristic Spectrum) 。 式與繞射強度間的關係，而定下了有名的Bragg 公式。 例如以高速電子撞擊銅靶，從 2p軌域躍遷到 1s X 光穿透力大，解析度高，利用X 光可以做許多 軌域為 k α X 光，其波長為1.5418Å ，從3p軌域躍遷 的分析，例如分子中原子的距離、鍵結型態，或是人 至1s 為 k β X 光，其波長為1.3922 Å… 等等，再使 體各部位的透視均可以用 X 光來作分析，這是因為結 用持定的濾光鏡 (Filter)得到特定的波長 ，如使用nickel 晶面間的距離與 X 光的波長的數量級相當，故可以利 filter可以得到以銅靶為 target的 k α X 光。X 光粉末 用 X 光來分析結晶材料、粉末等樣品。 繞射儀就是使用特性輻射光。 材料在X 光繞射之下，不同結晶化合物會產生相 W. L.