DC-DC converter 原理.pptVIP

Linear Regulator Feature : Fast Source Response No Switching Noise Cost Effective Design for mA Class Voltage Source Smaller ripple Simple and Easy Use Low EMI Drawback: Low efficiency Heavy and big Switching Regulator Feature : Small Light High Efficiency Large arrange of input voltage Drawback: Big ripple and noise High EMI Switching Regulator Switching Regulator EFFICIENCY = EFFICIENCY = Q2 on Q1 on Boost Circuit 薄膜沈積方式可分為Chemical vapor deposition---CVD化學氣相沈積、Physical vapor deposition---PVD物理氣相沈積或Plasma enhanced CVD電漿化學氣相沈積。 Glass進入Chamber成長薄膜之前會在300～400℃的溫度下進行預熱，之後以plasma與gas source產生所需薄膜材料。 Amorphous Si：silane + hydrogen n+-Si：silane + hydrogen + phosphine SiNx：silane + ammonia 一般而言，薄膜成長速率很慢，大約是每分鐘100埃左右。問題在於如何在大面積成長薄膜時控制厚度以及均勻性、避免反應時所產生的particle污染、以及如何控制不同電性的薄膜成長---undoped/doped/insulating。 雖然ITO仍用傳統的sputter以及電子槍蒸鍍的方式進行製造，但是Al, Cr, Ta, Mo…等其他金屬均改用Magnetron sputtering的技術，此技術比傳統的PECVD更好。 Power sequence - (t4) Power sequence - (t5) DC/DC Circuit-1-PWM OUT (MAX1790)-A VLX DC/DC Circuit-1-PWM OUT (MAX1790)-B B1 B2 Signal Measure Point- (C) Signal Measure Point- (D) Signal Measure Point- (E) Signal Measure Point- (F) Signal Measure Point- (G) Signal Measure Point- (H) VQ305C VQ305B Signal Measure Point- (FG) 27V 23.2V Signal Measure Point- (I) Signal Measure Point- (J) Signal Measure Point- (K) Signal Measure Point- (L) What is inrush current? DC/DC Circuit-1-inrush current I V23v V3.3v DC/DC Circuit-2-PWM chip(AT1380) DC/DC Circuit-2-soft start (AT1380) TL431 DC/DC Circuit-2-analysis (AT1380) DC/DC Circuit-2-PWM OUT (AT1380) DC/DC Circuit-2-structure PWM chip Vgl Vgc Vgh +9 V protection circuit 3.3V DC to DC converter use in our panel driving system to provide sorts of DC power. Like 23v –11v –6v…ect. TFT的製程類似積體電路的製造，基本上都是利用光阻將圖樣刻畫在成長的薄膜上，然後以蝕刻的方式得到所需之圖樣，然後不斷的重複上述步驟就可以得到所需元件。 在這裡，所要介紹的是：如何將Glass進行清洗步驟、如何成長薄膜、顯影技術、蝕刻技術以及最後的測試方法。 清洗步驟可分為物理方式、化學方式以及乾式清洗。 以不破壞物質為原則，像是用刷子刷去particles、以空氣槍將particles吹開甚至用超音波的方式將particles震開，均稱為Physical Cleaning。 在TFT t