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《模拟电子技术》综合复习资料
《 模拟电子技术 》综合复习资料-
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中国石油大学(华东)现代远程教育
《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件 一、选择
1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是 [ A ] A. B. C. D. NPN 型硅管 PNP 型硅管 NPN 型锗管 PNP 型锗管 2V 1.3V 6V
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ] [ A.饱和 B.放大 C.截止 D.已损坏 3、 在如下图所示电路中,当电源 V=5V 时,测得 I=1mA。若把电源电压调整到 V=10V,则电流的大 小将是 A.I=2mA C.I2mA B.I2mA D.不能确定 [ C ]
4、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
[ B ]
5、二极管的主要特性是 A.放大特性 C.单向导电特性 B.恒温特性 D.恒流特性
[ C ]
6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流 ICBO 将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
[ B ]
7、 下列选项中,不属三极管的参数是 A.电流放大系数β C.集电极最大允许电流 ICM 8、 温度升高时,三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 B.最大整流电流 IF
[ B ]
D.集电极最大允许耗散功率 PCM [ A ] D.不能确定 [ A ]
9、 在 N 型半导体中,多数载流子是
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A. 电子
B. 空穴
C.离子
D. 杂质 [ A ]
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 A.正向电阻小反向电阻大 C.正向电阻反向电阻都小 11、 在 P 型半导体中,多数载流子是 A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
B. 正向电阻大反向电阻小 D. 正向电阻反向电阻都大 [ B ]
二、填空
1、 在杂质半导体中, 多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 , 而少数载流子的浓度则与 本 征激发 有很大关系。 ,反向饱和电流 ICBO 增大 ,正向结
2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β 增大 电压 UBE 变小 。(a.变大,d.变小,c.不变)
3、在本征半导体中,电子浓度 等于 4、在 P 型半导体中,电子浓度 小于 5、在 N 型半导体中,电子浓度 大于 4、二极管的最主要特性是 单向导电性 5、双极型晶体管从结构上看可以分成 电子 和 空穴 两种载流子参与导电。
空穴浓度; 空穴浓度; 空穴浓度。 。 NPN 和 PNP 两种类型,它们工作时有 自由
6、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于 正向
偏置,集电结处于 反向
偏置。
三、判断对错
1、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。 ⅹ) ( 2、P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。 ⅹ) ( 3、由于 PN 结交界面两边存在电位差,所以,当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 ⅹ ) ( 4、通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。 ⅹ ) (
四、
在某放大电路中, 晶体管三个电极的电流下图所示。 已量出 I1=-1.2mA, 2=-0.03mA, 3=1.23mA。 I I 由此可知: 1、电极①是 C 极,电极②是 B 极,电极③是 。 E 极。
2、此晶体管的电流放大系数 β 约为 40 3、此晶体管的类型是 PNP
型(PNP 或 NPN) 。
①
l1 l2 T
②
③
l3
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五、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1 判断它们各是 NPN 管还是 PNP 管,在图中标出 e,b,c 极; (a)NPN (b) PNP 4mA-C 6mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B 6.1mA-E 0.1mA-B
2 估算(b)图晶体管的 β 和 (a) β =40 (b) β =60
α 值。
α =40/41 α =60/61
六、
判断各下图中二极管导通状态,并标出 U o 的值。各二极管导通电压 U D = 0.7V。
左图:D1 D3
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