教学课件PPT场效应管及其放大电路.pptxVIP

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2017-12-16 发布于浙江
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教学课件PPT场效应管及其放大电路.pptx

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教学课件PPT场效应管及其放大电路

04 场效应管及其放大电路;1925，Julius Edgar Lilienfeld发明晶体管; 1934，Oskar Heil，也发明了FET FETs 有时也被称为单极性晶体管，由于其只有一种载流子. FET概念的提出早于BJT,但在BJT之后才得以物理实现。 ;MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）: 金属-氧化物-半导体场效应管,也称绝缘栅型FET JFET (Junction type FET) : 结型FET;4.1 MOSFET;一、结构;二、工作原理; 2．沟道变形;1) 截止区vGSVT, iD=0 ;符号;三、特性曲线;2、输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const; 另：N沟道耗尽型MOSFET;可变电阻区;① rdso ——输出电阻;(3) 安全参数 ① IDM——最大漏极电流 ② PDM——最大漏极功耗由PDM= VDS ID决定 ③ VBRXX——反向击穿电压 XX：GS、DS ;4.2 JFET(略);一、结构与符号;1、工作原理; 1．vGS控制沟道宽窄(vDS=0); +;三、主要参数;各类场效应管的特性比较表(P237） λ：沟道长度调制参数;;; 现行两种命名方法：一、与三极管相同第三位字母J代表JFET，O代表MOSFET；第二位字母代表材料： D是P型硅N沟道；C是N型硅P沟道例如, 3DJ6D是结型N沟道场效应三极管， 3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。;几种常用的场效应三极管的主要参数见表02.02 ;;;作业: P249: 5.1.1，5.1.4 P251: 5.3.4（略去JFET）练习: P249: 5.1.2 P251: 5.3.5 （略去JFET）;4.3 FET 放大电路; 4.3.1基本共源放大电路一、静态工作点的设置方法;例5.2.1 P212;(2)带源电阻的共源放大电路;例5.2.3 P214 电流源偏置共源放大电路;二、图解分析;三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型;2、高频等效模型：源极和衬底相连，可忽略Cbs和Cbd ;例5.2.4：;例5.2.4：;例5.2.6：;例5.2.6：;三、三种组态比较分析;BJT FET·; *器件：FET;电路：共源和共漏组态静态分析和动态分析;作业: P251: 5.2.9 P254: 5.5.4