第5章 存贮器.pptVIP

第5章 存贮器 5.1 概述 5.2 读写存贮器(RAM) 5.3 只读存贮器(ROM) 5.4 外存贮器简介 5.1 概述 5.1.1 存贮器的分类 1．读写存贮器RAM 读写存贮器(RAM)按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。 (1)双极型RAM 双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒(ns)。 (2) 金属氧化物(MOS)RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存贮器(SRAM)和动态读写存贮器(DRAM)。 ①静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百ns，集成度比较高。 ②动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。 2．只读存贮器ROM (1)掩模工艺ROM (2)可一次编程ROM (3)可擦去的PROM 5.1.2 存贮器的主要性能指标 1．存贮容量 这里指的是存贮器芯片的存贮容量，其表示方式一般为：芯片的存贮单元数×每个存贮单元的位数。 2.存取时间 存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。 3．可靠性 微型计算机要正确地运行，必然要求存贮器系统具有很高的可靠性。 4．功耗 使用功耗低的存贮器芯片构成存贮系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。 5．价格 构成存贮系统时，在满足上述要求的情况下，应尽量选择价格便宜的芯片。 5.2 读写存贮器(RAM) 5.2.1 静态读写存贮器(SRAM) 1．概述 1) 8K×8bit的CMOSRAM芯片 现以6264(或6164)芯片为例，说明其引线功能。该芯片的引脚图如图5.1所示。 (1) 引线功能 6264(6164)有28条引出线，它们包括： A0～A12为13条地址信号线。 D0～D7为8条双向数据线。 CS2为两条片选信号的引线。 为输出允许信号。 是写允许信号。 (2) 6264(6164)的工作过程 2．连接使用 (1) 全地址译码方式 (2) 部分地址译码方式 分析图5.6所示的连接图，可以发现，此时的8KB芯片6264所占据的内存地址空间为: DA000H～DBFFFH DE000H～DFFFFH FA000H～FBFFFH FF000H～FFFFFH (3)译码器电路 ①利用厂家提供的现成的译码器芯片。 ②利用厂家提供的数字比较器芯片。 ③利用ROM做译码器。 ④利用PLD。 3．静态RAM连接举例 4．等待的实现 5.2.2 动态读写存贮器(DRAM) 1．概述 动态读写存贮器(DRAM)以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛的使用。 (1) 动态存贮器芯片2164A的引线 A0～A7为地址输入端。 Din和Dout是芯片上的数据线。 为行地址锁存信号。 为列地址锁存信号。 为写允许信号。 (2) DRAM的工作过程 ①读出数据。 ②写入数据。 ③刷新。 2．实现DRAM的刷新 下面以PC／XT微型机动态存贮器为例，说明该系统中DRAM的工作及刷新过程。