1.2-LED芯片制造的工艺流程.pptVIP

激光切割外延片成芯片 六、LED外延片的切割成芯片 六、LED外延片的切割成芯片 芯片分选机 六、LED外延片的切割成芯片 小 结 MOCVD外延片的制作：包括衬底的选择、MOCVD镀膜技术简介、成品外延片的检测。 LED芯片电极的制造。 LED芯片的切割、分选。 三、LED外延片的制作 外延片制作技术分类 1、液相外延：红色、绿色LED外延片。 2、气相外延：黄色、橙色LED外延片。 3、分子束外延 4、金属有机化学气相沉积外延MOCVD 三、LED外延片的制作 2、MOCVD设备工作原理 载流气体 金属有机反应源 反应腔 一、LED芯片制造设备 反应通气装置 真空泵 阻断装置 压力控制 2、MOCVD设备工作原理说明 MOCVD成长外延片过程 载流气体通过金属有机反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。 因此是一种镀膜技术，是镀膜过程。 一、LED芯片制造设备 MOCVD方法 影响蒸镀层的生长速率和性质的因素： 温度 压力 反应物种类 反应物浓度 反应时间 衬底种类 衬底表面性质等 参数由MOCVD软件计算，自动控制完成，同时要实验修正摸索。 三、LED外延片的制作 MOCVD方法 外延片生长中不可忽视的微观动力学问题 反应物扩散到衬底表面 衬底表面的化学反应 固态生长物的沉积 气态产物的扩散脱离 三、LED外延片的制作 MOCVD方法 反应气体在衬底的吸附 表面扩散 化学反应 固态生成物的成核和生长 气态生成物的脱附过程等 注意：反应速率最慢的过程是控制反应速率的步骤，也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。 三、LED外延片的制作 MOCVD反应系统结构 进料区 反应室 废气处理系统 三、LED外延片的制作 MOCVD反应系统的技术要求 提供洁静的环境。 反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保外延层的成分均匀。 反应物气流需在衬底的上方保持稳定的流动，以确保外延层厚度均匀。 反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接口分明的多层结构。 三、LED外延片的制作 MOCVD参数实例 南京大学省光电信息功能材料重点实验室使用 三、LED外延片的制作 MOCVD参数实例 系统简介 ????????本系统为英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源气相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料。在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、日盲紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域中具有广泛的应用。??? 三、LED外延片的制作 MOCVD参数实例 ????该设备承担并完成国家“863”、国防“973”计划项目和江苏省自然科学基金等多项研究任务。首次用MOCVD方法在LiAlO2衬底上实现非极化GaN/InGaN量子阱生长和LED器件制备，成果达到同期国际水平；研制的新型半导体InN材料其相关技术达到国际先进水平；制备高质量的用于紫外探测器结构材料性能指标达到国际先水平。 三、LED外延片的制作 MOCVD参数实例 设备参数和配置： 外延片3×2 英寸/炉 反应腔温度控制：1200℃ 压力控制：0～800Torr（1 Torr≈133.32Pa ） 激光干涉在位生长监测系统 反应气体：氨气，硅烷（纯度：6N=99.9999% ） 载气：氢气，氮气；（纯度：6N） MOCVD源：三甲基镓(TMGa)，三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl)，二茂基镁(Cp2Mg) 三、LED外延片的制作 国产MOCVD设备 中国电子科技集团公司第四十八研究所 上游产业 一、LED芯片制造设备 2、国产MOCVD设备指标 产品描述：GaN-MOCVD设备是集精密机械、电子、物理、光学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端电子专用设备，用于GaN系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫色LED芯片的制造，是国家半导体照明（白光LED）工程实施中最为关键的芯片制造设备，也是光电子行业最有发展前景的专用设备。 一、LED芯片制造设备 2、国产MOCVD设备指标 生产能力：2’’（1英寸=25.4mm）基片，6片/批； 基片温度及精度：300~1200±1℃； 升温速度：10 ℃/s； 载片台转速：10~200rpm（转数/分）； 反应室压控范围：0.01~0.13Mpa； 界面友好，操作简单。 一、LED芯片制造设备 2、MOCVD设备操作培训与就业 2008年7月24日，中国（深圳）国际半导体照明展览会期间， “MOCVD技术国际短期培训班”。必威体育精装版的MOCVD技术。 “GaN基发光二极管结构表征方