电子技术非电类第2版荣雅君杨丽君第2章节半导体器件2章节.pptVIP

第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 半导体三极管(简称晶体管或三极管)是最重要的一种半导体器件。它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。晶体管的特性是通过特性曲线和工作参数来分析研究的。为了更好地理解和熟悉管子的外部特性，本节首先简单介绍管子内部的结构和载流子的运动规律。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 一、基本结构 晶体三极管的结构，目前最常见的有平面型和合金型两类(图1-19)。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 晶体三极管分为NPN型和PNP型两类。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 二、电流放大原理 晶体管必须满足一定的偏置条件，才能有电流放大作用。 图1-21电路是以NPN型硅三极管接成共射形式（基极回路和集电极回路以发射极作为公共端）的示意图。 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 结论 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 三、晶体管的伏安特性曲线 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 （3）放大区 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 四、主要参数 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 3．极限参数 晶体管电极的判别 PNP 第一章 半导体器件第二节 半导体三极管 1. 确定基极：将红表笔和黑表笔先后固定到三极管的某条引腿。若(指针式表用×1k档，数字式表用测二极管挡)测得该腿和另两条腿之间有低欧姆电阻，则该引腿即为基极，如果连基极的表笔为黑色（指针式表为红色），则该管为PNP管，若为红色（指针式表为黑色），则该管为NPN管。 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 一、基本结构 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 普通型晶闸管有螺栓式和平板式两种。 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 二、工作原理 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 （3）A、K之间 加正向电压， G、K之间加正向电压 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 （5）晶闸管的关断 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 三、伏安特性 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 四、主要参数 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 4．通态平均电压UF 第一章 半导体器件第三节 晶闸管 目前我国生产的晶闸管的型号及其含义如下： 作业 24页：1-5，1-7，1-8 25页：1-14 尚辅网 / 由图可见，晶体管的外部偏置条件是：电压源UBB通过电阻RB提供给发射结正向偏置；而电压源UCC通过电阻RC加到集电极，使集电结处于反向偏置。 NPN三极管电流方向及各电流的关系 IC ICE ICBO IB IBE IE 共射电流放大系数 共基电流放大系数 晶体管有电流放大作用。 晶体管的发射结正偏，集电结反偏时， 晶体管为电流控制器件（基极电流控制集电极电流） 参加导电的有自由电子和空穴，故又叫双极型晶体三极管 NPN PNP NPN型与PNP型晶体管电流电压的参考方向 1．输入伏安特性曲线（NPN） 定义 硅管 晶体管输入特性与二极管的正向特性一样，也有一段死区。只有在发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才会出现 。 硅管的死区电压约为 锗管的死区电压约为 晶体管导通后，其发射结电压变化范围很小 锗管 2．输出特性曲线 定义 (1) 截止区 外部特征： 三极管相当于开路。 外部（偏置）条件： 发射结反向偏置，集电结反向偏置。 (2) 饱和区 饱和区 截止区 外部特征： 三极管相当于短路。 外部（偏置）条件： 发射结正向偏置，集电结正向偏置。 饱和区 放大区 截止区 恒流特性 外部（偏置）条件： 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 外部特征： ③ 电流恒定 ① 电流放大 ②电流控制 2 4 6 iB大iC也大，iB等于0iC也等于0－－iB控制iC 电压在很大范围内变化，电流几乎不变 1．电流放大系数 直流 ： 交流 ： 在数值上 2．反向电流 晶体管的极间反向电流是少数载流子反向漂移形成的，因此，受温度影响比较严重，是反映管子质量的指标，极间反向电流越小，管子质量越高。 （1）集电极—基极间反向饱和电流 (2) 集电极-发射极间穿透电流 (3)集电极最大允许耗散功率PCM (1)集电极最大允许电流ICM (2)集电极发射极反向击穿电压BU(BR)CEO 过损耗区