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PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备 极限真空：6.67x10-5Pa(经烘烤除气后)； 接口密封采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封 ； 靶台组件每次可以装四块靶材，靶材尺寸Φ60mm； 靶与基片之间距离可调30-100mm ； 每块靶材可实现自转，转速5～60转/分，连续可调，步进电机驱动； 基片尺寸：Ф50mm最高温度 800°C 基片可连续回转，转速5～60转/分；步进电机驱动 激光束扫描控制系统； 产生氧等离子的电离电源及电极、石英管、微调阀等 ； 用户可选配备如下仪器或控制系统 1、RHEED， 2、离子源； 3、RHEED强度振荡，CCD生长速率监 测系统； 4、计算机控制系统的硬件接口、软件 及586 计算机 ； PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备左视图 PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备右视图 PLD-Ⅲ型脉冲激光溅射沉积设备俯视图 * 3 PLD- Ⅲ型高真空脉冲激光溅射沉积设备 一、设备的主要组成及技术指标 极限真空：6.67x10-5Pa (经烘烤除气后) 1、真空室组件 1套 球型真空室尺寸Ф450mm，选用1Cr18Ni9Ti不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进 行喷玻璃丸处理，真空漏率小于5.0x10-8Pa.l/S。接口密封采用金属垫圈密封或氟 橡胶圈密封。 真空室组件上焊有各种规格的法兰接口如下： 1.1、?直径Ф160胶圈密封法兰接口1个，与取换样品的活开门相匹配； 1.2?、直径Ф200胶圈密封法兰接口1个（接靶组件）； 1.3?、直径Ф160胶圈密封法兰接口1个（接基片样品台组件）； 1.4?、直径Ф100胶圈密封法兰接口3个（激光入射窗口、观察窗口）； 1.5?、CF150法兰接口1个（接分子泵）； 1.6、?CF50接口法兰2个（接照明及内烘烤引线、备用）； 1.7、CF35接口法兰3个(接CF35电离规管，备用)； 1.8?、CF16接口法兰4个（分别用于接进气管路、旁抽管路、充气阀）； 1.9、KF16接口法兰1个(接KF16热偶规管)； 2、靶台组件 1套 2.1、Ф200胶圈密封法兰，每次可以装四块靶材，靶材尺寸Φ60mm，靶与基片 之间距离可调30-100mm，由腔外手动波纹管调节机构完成； 2.2、每块靶材可实现自转，转速5～60转/分，连续可调，由步进电机驱动磁 力耦合机构完成； 2.3、靶位公转换位机构，由步进电机驱动磁耦合机构完成； 2.4、靶材屏蔽罩将四块靶材屏蔽，每次只有一个靶材露出溅射成膜，以避免靶 材 之间的交叉污染。 3、基片加热台组件 1套 3.1、 基片尺寸：Ф51mm； 3.2、 基片加热，最高温度 800°C±1°C；由热电偶闭环反馈控制； 3.3、 基片可连续回转，转速5～60转/分，步进电机驱动磁耦合机构完成； 3.4、 样品挡板组件； 4、窗口及法兰接口部件 4.1、Ф160活开门，其上有铰链、锁紧件； 1套 4.2、Ф100石英玻璃窗口