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拉曼光谱法计算多孔硅样品的温度.PDF
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $ !’ ’’ !’ , , , V;7 ,$ U; , !’ O-F;WB ’’ ( ) !’’’4/2’L’’L$ !’ L$($4’ I@RI DMSET@I ETUT@I #’’ @=6* , D=8C , E;- , 拉曼光谱法计算多孔硅样品的温度! ) )) ) ! ! ! # 白 莹 兰燕娜 莫育俊 !)(河南大学物理与信息光电子学院,开封 $%’’!) )(南通大学理学院,南通 (’’% ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ’’$ ! !( ’’ ( 利用$% )*+ 固体激光器作为激发光源,得到了在不同功率激发下的多孔硅样品的拉曼光谱以及一些谱峰参 数随功率的变化关系, 在从前的理论研究中,认为是由于激光功率的增大导致样品局域温度升高,从而使样品局 域粒径变小,并由此引起了一系列谱峰参数的变化 分别由 . ! 和 . ! 附近得到的随功率变化的拉曼谱 , ’-+ /’’-+ 图,详细讨论并计算了激光功率对多孔硅样品局域温度的定量影响,为拉曼光谱用于样品温度的定量测量奠定了 实验基础, 关键词:拉曼光谱,多孔硅,激光功率,样品温度 : , , !## /’0 %1/’ /!’ 定理论分析价值和现实意义的, !) 引 言 在热平衡条件下,同一散射带的EF;HC 和I*F64 ! ! . ! / E ’ ! !L #$ EF;HC 散射分量的强度比为: J ( ) ! 由 ! ! K ! !22’ 年 @5*=5+ 对阳极氧化法制备的多孔硅 5C ’ ! ( ,简称 )在室温下有强烈的光致发光 此式可得 A;B;9C C676-;* DE [] ! ! ! ! . ! ( ,简称 )的首次报导 显示了其 ! E ’ ! A
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