数字电子技术课件作者曾晓宏第9章节存储器与可编程逻辑器件简介.pptVIP

EPROM2716的应用 4.异或-寄存器输出结构 异或加寄存器输出结构如图6―30所示。其输出部分有两个或门,它们的输出经一个异或门后,再接到D触发器经三态缓冲器输出。用这种结构的PAL实现二进制计数是很方便的,因为二进制计数器的次态方程可以写成相邻触发器状态的异或。 尚辅网 / 应知要求 第9章 半导体存储器 应会要求 掌握常用半导体存储器的种类。 了解各类存储器的结构和特点。 了解集成存储器的工作原理及其特点。 了解可编程逻辑器件的组成结构和特点。 集成存储器的应用和扩展。 各类PLD的应用。 第9章 半导体存储器 9.1 半导体存储器 9.2 可编程逻辑器件 　 数字系统中用于存储大量二进制信息的器件是存储器。 　　穿孔卡片→纸带→磁芯存储器→半导体存储器 　　半导体存储器的优点：容量大、体积小、功耗低、存取速度快、使用寿命长等。 　　半导体存储器按照内部信息的存取方式不同分为两大类： 　　1、只读存储器ROM。用于存放永久性的、不变的数据。 　　2、随机存取存储器RAM。用于存放一些临时性的数据或中间结果，需要经常改变存储内容。 9.1 半导体存储器 9.1.1 只读存储器 　　只读存储器所存储的内容一般是固定不变的，正常工作时只能读数，不能写入，并且在断电后不丢失其中存储的内容，故称为只读存储器。 ROM组成： 地址译码器 存储矩阵 输出电路 ROM结构方框图 9.1 半导体存储器 地址译码器有n个输入端，有2n个输出信息，每个输出信息对应一个信息单元，而每个单元存放一个字，共有2n个字（W0、W1、…W2n-1称为字线）。 每个字有m位，每位对应从D0、D1、…Dm-1输出（称为位线）。 存储器的容量是2n×m(字线×位线)。 ROM中的存储体可以由二极管、三极管和MOS管来实现。 9.1.1 只读存储器 9.1 半导体存储器 A1、A0为输入的地址码，可产生W0= 1.简单的二极管只读存储器（ROM） 在对应的存储单元内存入的是1还是0，是由接入或不接入相应的二极管来决定的。 ～W3= 四个不同的地址，用于选择存储器的内容，W0～W3称为字线。 存储矩阵由二极管或门组成，其输出为D0～D3。在W0～W3中，任一输出为高电平时，在D0～D3四根线上输出一组4位二进制代码，每组代码称作一个字，D0～D3称为位线。 9.1.1 只读存储器 9.1 半导体存储器 　 在编程前，存储矩阵中的全部存储单元的熔丝都是连通的，即每个单元存储的都是1。 用户可根据需要，借助一定的编程工具，将某些存储单元上的熔丝用大电流烧断，该单元存储的内容就变为0，此过程称为编程。 熔丝烧断后不能再接上，故PROM只能进行一次编程。 PROM的可编程存储单元 2.可编程只读存储器（PROM） 9.1.1 只读存储器 9.1 半导体存储器 3.可擦除可编程只读存储器 9.1.1 只读存储器 9.1 半导体存储器 EPROM容许对芯片进行反复改写。芯片写入信息后，在使用时，仍然只能读出，不能写入，故仍然称为只读存储器。EPROM是微型计算机系统中使用最多的ROM。 1）紫外线擦除方式（ EPROM ） 存储单元结构是用一个特殊的浮栅MOS管替代熔丝。在专用的编程器下，用幅度较大的编程脉冲作用后，使浮栅中注入电荷，称为永久导通状态，相当于熔丝接通，存储数据1。如置于专用的紫外线擦除器中受强紫外线光照射后，可消除浮栅中的电荷，称为永久截止状态，相当于熔丝断开，从而擦除信息1，而存储了数据0。这种只读存储器芯片上的石英窗口需密封，以免破坏芯片内的信息。数据可保持10年左右。 2）电擦除可编程方式（EEPROM）。 存储结构类似于PROM，只是它的浮栅上增加了一个隧道二极管，利用它由编程脉冲控制向浮栅注入电荷或擦除电荷，使它成为导通状态或截止状态。从而实现电写入信息和电擦除信息。 因此它的擦除与改写可以边擦除边写入一次完成，速度比EPROM快得多，可重复改写的次数也比EPROM多，E2PROM芯片写入数据后，可保持10年以上时间。 ＝1时，芯片处于维持状态。二是在对 芯片进行编程时，为编程控制端。 ：具有两种功能。一是在正常工作时，为片选信号，低电平有效。 3.可擦除可编程只读存储器 9.1.1 只读存储器 9.1 半导体存储器 集成EPROM电路芯片很多，但基本电路机构都差不多，这里以Intel 2716EPROM为例介绍。 A10～A0：地址码输入端。 D7～D0：8位三态数据线。正常工作时为数据输出