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MOCVD生长InxGa12xN薄膜的表征-人工晶体学报
第 34卷 第 6期 人 工 晶 体 学 报 Vol. 34 No. 6 2005年 12 月 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S D ecem ber, 2005 MOCVD 生长 Inx Ga1x N薄膜的表征 1 1 1 1, 2 1 1 1 李 亮 , 张 荣 ,谢自力 , 张 禹 , 修向前 ,刘成祥 , 毕朝霞 , 1 1 1 1 1 1 1 陈 琳 , 刘 斌 , 俞慧强 , 韩 平 , 顾书林 ,施 毅 , 郑有火斗 ( 1. 江苏省光电信息功能材料重点实验室 ,南京大学物理系 ,南京 2 10093; 2. 北京科技大学物理系 ,北京 100083) ( ) 摘要 :本文利用 MOCVD 方法在 000 1 取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的 In Ga N 薄膜的制备 ,并 x 1x 通过 XRD 、SEM 、A FM 等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对 In Ga N 薄膜的组分和性质的影响 。In Ga N x 1x x 1x 薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上 GaN 缓冲层的生长以及缓冲层上 In Ga N 薄膜的沉积两个过程 。通过对所制 x 1x 备 In Ga N 薄膜的 XRD、SEM 、A FM 分析发现 ,调节生长温度和 TM Ga 的流量可以有效控制 In Ga N 薄膜中 In 的 x 1x x 1x 组分 ,并且随着生长温度的升高 , In Ga N 薄膜的表面缺陷减少 。
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