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生产部电池线： 题 库 1、清洗机盖板不能正常开、关 答：a、气缸被堵，需清理气缸； b、气动阀损坏，需修理； c、丝杆接触金属块断，需更换； d、感应器未得到感应，清理感应器或更换； e、盖板变形卡死； f、压缩空气压力不足； g、电气原因，检查开关盖信号是否传到PLC。 2、清洗机下料台发生压篮情况 答、a、花篮放偏，感应器感应不到，因对机械重新定位； b、 答：a、机械手定位偏移，重新对机械手定位； b、软件程序混乱出错，对程序复位； c、定位开关失灵； d、盖板不能及时打开； e、机械手脱钩。 4、机械手撞车 答：a、软件程序混乱出错，需复位程序； b、设计机械频率太高，超过PLC频率范围，降低机械手频率； 5、 PECVD抽不上真空 答：a、石英管破裂，需更换； b、密封圈破损或者有异物，用异丙醇清洗或者更换； c、锁紧头松动，更换； d、反应腔盖螺丝松动，需锁紧； e、真空泵故障。 6、等离子刻蚀辉光颜色呈红色 答：a、密封性差，检查密封圈等； b、b、a、a、必须是受主杂质或施主杂质； b、具有较低的扩散温度； c、具有适中的扩散速度； d、具有很高的纯度； e、不能和半导体发生化学反应。 30、有哪些原因会造成热氧化生长的二氧化硅的钠离子沾污？如何解决？ 答：氧化层中的钠离子沾污是造成器件漏电流增大、击穿特性变化、器件性能不稳定的重要原因之一。氧化层中的钠离子沾污的来源有： 清洗硅片的用具、化学试剂、纯水； 操作者身上的汗液、呼出的气体、人体皮肤屑等； 扩散炉中炉管和耐火砖等材料中含有大量的钠离子，在高温下穿过石英管，造成氧化层钠离子沾污。 解决办法是： 加强工艺操作、人体卫生、环境卫生； 使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备； 31、有哪些原因会造成扩散的均匀性差？如何解决？ 答：造成扩散的均匀性差的原因有： a、衬底材料（硅片）本身质量问题； b、硅片清洗处理不好，表面有局部沾污和氧化物。在相同的扩散条件下，在有沾污和氧化物的区域杂质原子扩散进去的数量、结的深度就与其他地方不一样； c、杂质扩散系数和固溶度都与温度有关，石英舟中各处的温度若有差异，就会影响扩散均匀性。特别是长石英舟、短恒温区，其影响更明显； d、扩散时，石英舟各处的杂质蒸汽压是不完全相同的，也会造成扩散结果不均匀。 解决的办法： a、选用质量高的硅片，表面光亮、平整、无划痕等； b、认真清洗硅片，尽量做到表面无沾污、无氧化物； c、使用长恒温区的扩散炉。 32、有哪些原因会造成扩散的重复性差？如何解决？ 答：造成扩散的重复性差的原因有： a、各次扩散过程中，炉温、时间变化较大； b、石英管内的杂质蒸汽压变化大； c、各次硅片清洗处理程度有区别、即硅片表面清洁度不一样； d、工艺条件和工艺操作有小的改动，如石英舟推进石英管恒温区里的位置各次不一样等。 解决的办法： a、精确控制炉温和扩散时间； b、每天第一次扩散前，将石英管道和石英舟在源蒸汽中饱和10分钟左右，对扩散重复性大有好处； c、每次的硅片清洗和工艺操作要严格认真。 33、有哪些原因会造成PN结反向漏电流大？如何解决？ 答：造成PN结反向漏电流大的原因有： a、硅片表面沾污了重金属杂质，在高温下，它们会很快扩散进入硅片体内，沉积在晶格缺陷中，发生局部击穿，造成很大反向漏电流； b、硅表面缺陷过多或吸附了水分、杂质离子，导致表面漏电流大； c、SiO2表面吸附了气体、离子及SiO2本身的缺陷，使SiO2层带上了正电荷，形成面沟道效应，使反向漏电流增大； d、图形边缘不完整，出现尖峰毛刺，硅表面有合金点、破坏点，都会引起众向扩散不均匀，PN结上出现尖峰，使电场集中，漏电流大。 解决的办法： a、electrical Zero（无法复位到“零”点）。 答：a、断电按红色“急停”按钮 ，检查相应的部件移动是否正常。 b、检查译码器是否工作正常，对光电感应译码器可用金属检测。 40、测试分选Elmo卡连接不好。 答：a、检查相应Elmo卡连接线。 b、断开Elmo卡网络线，然后再重新连接上。 c、断开电源重启。 41、测试分选出现 Remove the wafer from last position 时： 答：移动最后位置电池片： 42、测试分选出现insufficient air pressure时 答：a、检查压缩空气是否正常。 b、检查真空是否正常驻。 43、扩散炉子不升温 答：a、 炉体加热按钮可能未开，按下加热按钮。 b、 功率部件上保险可能烧坏，更换80A的保险丝，触发器上保险可能烧坏，更换0。25A的保险丝。 44、扩散炉子一直升温报警 答：a、 可能是可控硅被击穿了必须更换可控硅。 b、 触发电路板发生了故障，一直给可控硅触发信号。必须检修