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全国2010年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码：02234 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．N型杂质半导体中，多数载流子是( ) A．正离子 B．负离子 C．空穴 D．自由电子 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压U为( ) A．5V B．+5V C．+10V D．+15V 3．测得电路中某晶体三极管(锗管)各管脚的电位，如题3图所示，则可判定该管处在( ) A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．不确定状态4．测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题4图所示，则可判定该管为( ) A．PNP型管，①是e极 B．PNP型管，③是e极 C．NPN型管，①是e极 D．NPN型管，②是e极 5．下列基本放大电路中有电压放大作用无电流放大作用的是( ) A．共射极放大电路 B．共集电极放大电路 C．共基极放大电路 D. 共源极放大电路 6．题6图所示特性曲线是( ) A．P沟道增强型管的转移特性 B．P沟道耗尽型管的转移特性 C．N沟道增强型管的转移特性 D．N沟道耗尽型管的转移特性 7．为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流( ) A．串联负反馈 B．并联负反馈 C．电压负反馈 D．电流负反馈 8．已知某放大电路的电压放大倍数为104，则该电压放大倍数用分贝表示为( ) A．40dB B．60dB C．80dB D．100dB 9．乙类互补对称功率放大电路会产生( ) A．频率失真 B．交越失真 C．饱和失真 D．截止失真 10．单相桥式整流电路，已知输出电压平均值U=9V，则变压器二次侧电压有效值应为( ) A．45V B．4.5V C. 9V D．10V 11．逻辑函数F=AC的最小项表达式为( ) A．F(A，B，C)=∑m(1，34，5) B．F(A，B，C)=∑m(，2，4，5) C. F(A，B，C)=∑m(1，2，5，6) D．F(A，B，C)=∑m(1，3，5，6) 12．三位二制编码器，可实现的编码状态为( ) A．2个 B．4个 C．8个 D．12个 13．下列与或逻辑函数式F=ABC+A有相同逻辑功能的为( ) A．F=AB B．F=A C．F=A() D．ABC+ 14．逻辑电路如题14图所示，其输出函数表达式为( ) A．F= B．F=1 C．F=A D．F=0 15．集成双向移位寄存器74LS194应用电路如题15图，该电路初始状态为Q0Q1Q2Q3=0001，则经过三个CP后，电路的状态应为Q0Q1Q2Q3=( ) A．0100 B．0001 C．1000 D．0010 二、填空题(本大题共9小题，每空1分，共9分) 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16．晶体三极管甲的=200，ICBO=10A，晶体三极管乙的=80，ICBO=0.2A，两管比较，可判定是晶体三级管________的性能好。 17．由NPN型管构成的基本共射放大电路，若静态工作点偏低(即IBQ小，ICQ小)，将容易产生_________失真。 18．放大电路中的负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入________负反馈。 19．在双端输入的差动放大电路中，知ui1=8mV，ui2=4mV，则共模输入信号uic=_______mV。 20．晶体管V1的=50，晶体管V2的=30，若两管组成复合晶体管，则该复合晶体管的p约为________． 21．与十进制数(31)D相对应的8421BCD码为(_________)8421BCD。 22．函数F=A+BC+的最简与或表达式为F=________。 23．由主从JK触发器构成的电路如题23图所示，此电路 实现了__________功能。 24．由555定时器构成的单稳态触发器，施密特触发器，多 谐振荡器三种电路中，______________电路接通电源后能自 动产生脉冲信号。 三、分析计算题(本大题共5小题，每小题8分，共40分) 25．放大电路如题25图所示，知UCC=12V，RB=120K，RE=RL=4K，=40， UBEQ=.6V，rbe为已知。 (1)指出该放大电路的名称； (2