二极管。三极管NPNPNP,JFETIGFET.docxVIP

三极管与二极管型号按极性分：三极管：PNP型和NPN二极管：P型和N型多数国产管用xxx表示：如 3 A X 31，第一位——管型：3代表三极管2代表二极管第二位——材料和极性：A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位——用途：X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。注意：二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。二极管：第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。进口的三极管：各有不同：常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列。在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。最后面的数字是产品的序号：序号不同，各种指标略有差异。NPN和PNP三极管主要区别主要就是电流方向和电压正负不同：极性~（反转）NPN：是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC）。正常放大时：电位（直接或间接）：地板~ VE VB VC~天花板PNP：是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC）。正常放大时：电位（直接或间接）：地板~ VC VB VE~天花板 VB中，VC /VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，电压方向和电流方向同样是一致的： “正电源上，负电源下”。一般的电路中，有了NPN，就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。(三极管)晶体管（Transistor）分两类： 双极性晶体管-BJT:电流控制器件；场效应晶体管-FET:电压控制器件。BJT（Bipolar Junction Transistor）双极结型/双载子晶体管是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。FET（Field Effect Transistor）场效应晶体管/场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧。现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。功率晶体管耗散功率大于1瓦的晶体管。包括:低频功率管、高反压功率管、结型高频功率管、微波功率管和场效应功率管等。功率晶体管的主要特点是功率耗散大，因此在设计器件时通常采取如下措施：提高器件的击穿电压、增加有源区面积、减小管芯本体厚度、改善管芯与载体的热传导性能、提高底盘的功率容量等。场效应(晶体)管/单极型晶体管FET（Field Effect Transistor）由多数载流子参与导电,属于电压控制型半导体器件。优点:输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等.特点:（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。工作原理:　　“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。主要作用:1.场效应管可应用于放大。场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3.场效应管可以用作可变电阻。4.场效应管可以方便地用作恒流源。5.场效应管可以用作电子开关。分类简介　　结型场效应管（JFET）和绝缘栅场