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模拟电子技术基础大题
P20 1.4.1(1) 求Avs(源电压增益) P21 1.5.2 当负载电阻RL=1kΩ时,电压放大电路输出电压 比负载开路(RL=∞)时输出电压减少20%,求该放 大电路的输出电阻Ro。 P21 1.5.3 一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时,输出电压为1V,负载断开时,输出电压上升到1.1V,求该放大电路的输出电阻Ro。 如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连,求输入电阻Ri 。 (3)求vo 2、如图示,已知β=50,VBEQ=-0.7V,求AV 。 解:小信号等效电路如图 从原电路知 ∴ P143 例4.5.1 二、放大电路及晶体管的输出特性如图示。设UBEQ=UCES = 0.7V。 1、用图解法确定静态工作点ICQ,UCEQ; 2、确定放大电路最大不失真输出电压的有效值Uom 。 解: 4.3.5 三、电路如图所示,已知:BJT的β=80,rbe=1kΩ,RL=3kΩ 1、试指出该放大电路的接法(或称为组态); 2、画出该电路的微变等效电路; 3、写出 、Ri 和Ro的表达式并计算。 1、共集组态; 解: 2、 3、 P143例 4.5.1 5、电路如图所示,设场效应管的参数为gm1=0.8mS,λ1 = λ2 = 0.01V-1。场效应管的静态工作电流ID = 0.2mA。试求该共源放大电路的电压增益。 解:画出小信号等效电路,可得 5.2.6 6、电路如图所示,设R1=R2=100kΩ,VDD=5V,Rd=7.5kΩ,VT= -1V,KP=0.2mA/V2。试计算该P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流ID和漏源电压VDS。 解: 设场效应管工作于饱和区 由于 , 说明场效应管工作于饱和区。 5.2.2 7、电路如图所示,设R=0.75kΩ,Rg1 = Rg2 = 240kΩ,Rs=4kΩ,场效应管的gm=11.3mS,rds=50kΩ,试求源极跟随器的源电压增益Avs、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 解: 5.2.5 8、如图,设VT=1V,Kn=160,VDD=VSS=5V,IDQ=0.25mA,VDQ=2.5V,试求电路静态参数。 解:当 Vi=0时,g接地,Rg上无电流。 设NMOS工作于饱和区,由直流通路, 代入值解得, NMOS工作于饱和区的假设正确 P214 例5.2.3 9、如图,设VT=1V,Kn=0.8,VDD= 5V,Rd =3.9K,VGS=2V,试求电路静态参数。 解: MOS工作于饱和区的假设正确。 P217 例5.2.4 10、如图所示,VDD=5V,Rd=3.9K,VGS=2V,VT=1V,Kn=0.8,试说明MOS管工作于饱和区(放大态)。 解:求静态值 ∴ MOS管工作于饱和区 P215 三、判断题四图电路中整体反馈的反馈组态。? 电压-串联负反馈 2、试判断图(2)示电路反馈的类型及型式,简述理由。 答:利用瞬时极性法,可知为正反馈,R2是反馈电阻;因V0=0时,反馈量=0 且反馈量和输入量连到同一节点上。 ∴ 是电压并联正反馈 。 图2 7.1.1(a) 2、试判断图(2)示电路反馈的类型及形式?简述理由。 答:图中Rf1、Rf2 是直流反馈,无 交流反馈。 利用瞬时极性法, 是负反馈 Re1引入串联电流负反馈。 7.1.1(b) 四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。 答:反馈组态为:电压-串联负反馈 P351 例7.5.2 三、由理想运放构成的电路如题五图所示。 1、试判断电路的反馈极性和反馈类型(或称为反馈组态); 2、说明这种反馈类型对放大电路的哪种性能指标产生何种影响? 3、估算相应的闭环放大倍数 。 1、电流-并联负反馈; 2、减小输入电阻,增大输出电阻,稳定输出电流; 3、 解: 4、在下图所示电路中,设vi为正弦波,RL=8Ω,要求最大输出功率Pom =9W。试求在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下,求:(1)正、负电源VCC的最小值;(2)根据所求VCC的最小值,计算相应的ICM、|V(BR)CEO|的最小值;(3)输出功率最大(Pom = 9W)时,电源供给的功率PV;(4)每个管子允许的管耗PCM的最小值;(5)当输出功率最大(Pom =9W)时的输人电压有效值。 解:(1)求VCC的最小值 (2)ICM和 |V(BR)CEO| 的最小值 8.3.3 4、在下图所示电路中,设vi为正弦波,RL=8Ω,要求最大输出功率Pom =9W。试求在BJT的饱和压降VCES
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