TFT-Array工艺-2017年10月.pptxVIP

TFT－Array工艺技术概要主要内容一、 TFT的基本构造二、 ARRAY工艺介绍三、 4Mask与5Mask工艺对比 四、 Array现场气液安全像素偏光板单像素实际结构（旋转）液晶TNTFT基板接触孔TFT部位侧视TFTP-SiNxITO像素电极DRAINSOURCEn+ a-Si偏光板背光源GLASSa-SiGATEG-SiNx一、 TFT的基本构造一、 TFT的基本构造接触孔ITO像素电极PI工程C工程SOURCEDRAINP-SiNxD工程n+ a-SiG-SiNxGLASSa-SiI 工程GATEG工程工艺详细流程－G工程G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)成膜工程G-Mask PR曝光PR曝光工程G层湿刻刻蚀工程剥离剥离工艺详细流程－D/I工程图解成膜工程PCVD （SiNx）成膜工程PCVD （3层CVD）成膜工程D层 Sputter (Cr)PR曝光工程D-Mask PR曝光D层湿刻1Island干刻刻蚀工程D层湿刻2Channel干刻剥离工程剥离工艺详细流程－C工程成膜工程PCVD (SiNx)C-Mask PR曝光PR曝光工程Contact Hole干刻刻蚀工程剥离剥离工艺详细流程－PI工程Sputter （ITO）成膜工程PI-Mask PR曝光PR曝光工程刻蚀工程ITO湿刻剥离剥离二、ARRAY工艺介绍工艺名称 工艺目的1洗净清洁基板表面，防止成膜不良2溅射（SPUTTER)成Gate膜、D/S膜和Pixel膜3P-CVD成a-Si膜和SiNx膜4PR/曝光形成与MASK图案相一致的光刻胶图案5湿刻（WE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜6干刻（DE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜7剥离去掉残余的光刻胶8退火修复晶体损伤，改善晶体性质9检查修复监控产品不良，修复不良高圧刷子药液Ａ／ＫＵＶ2流体排水纯水排水ＤＡＤＡＰＰＰＵ　Ｖ刷洗药　液高 压 喷射2流体机械剥离机械剥离溶　解氧化分解机械剥离洗净 功能　有机物(浸润性改善)微粒子(中径)　微粒子　(大径) 微粒子　(小径)有机物洗净对象 加速度cavitationＵＶ/Ｏ３接触压水压溶　解作 用1-1、洗净洗浄対象目的Ｔｏｏｌ1、Ｄｒｙ洗浄UV／Ｏ３有機物汚染密着力向上Ｅｘｃｉｍｅｒ ＵＶ濡れ性向上Ｂｒｕｓｈ2、Ｗｅｔ洗浄無機物ＰａｒｔｉｃｌｅＰａｒｔｉｃｌｅ除去超音波有機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ高圧Ｓｐｒａｙ微小Ｇｌａｓｓ傷除去微小Ｇｌａｓｓ傷純水／Ａｉｒ ２流体ＪｅｔＡｌｋａｌｉ洗剤1-2、洗净方法及原理概述洗 净Sputter成膜Inline PRWet Etching剥 离Sputter工艺在生产工艺流程中的位置2-1、Sputter溅射( Sputter )是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击，使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。Sputter在工艺流程中的位置PI - ITOD - CrG1 - AlG2 - Mo2-2、SputterTFT中Sputter薄膜的种类和作用类型名称作用G配线Al传递扫描信号D配线Cr传递数据信号像素电极ITO存储数据信号S1枚葉SputterULVAC SMD-1200Glass Size 1100×1300(mm)TargettargetTargetS4X3Type1sheetMax3sheetS3X1Ｔｙｐｅ1sheetSputterX1Type(1Target)SputterX3Type(1~3Target)targetVacRob2sheetUpperSlot-Load(Heating)UnderSlot-Unload(Cooling)L1-11sheetL2-11sheetL2-21sheetL1-21sheetCassetteLoaderAtmRob2sheetcassette120sheetcassette220sheetcassette320sheetcassette420sheet2-3、Sputter设备整体图（SMD-1200）基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2）搬送室(Tr)成膜室（X1、X3） PP--SiNxSiNxn+ an+ a--SiSiGG--SiNxSiNxGLASSGLASSaa--SiSiI I 工程工程3-1、PCVD膜 层材 料作 用G-绝缘膜SiNx绝缘a-Si非晶硅导电沟道n+a-SiN掺杂非晶硅欧姆接触PA-SiNxSiNx保护ＲＦpower气体供给ＭＦＣＲＦ电源气体BOXＭＦＣＭ．ＢＯＸＭＦＣ气体吹出电极（阴极）流量控制下部电极（阳极）等离子体Ｐ汽缸cabinet压力计ヒーター压力控制工艺腔体（电极部）控制节流阀干泵除害装置（scrubber）真空排气特气对应3-2、PCVD4-1、PR/曝光由洗净、涂覆、曝光、显影四大