电子科技大学硕士考试大纲.docVIP

2011年电子科技大学硕士研究生入学考试大纲 考试科目 829数字电路与模拟电路 考试形式 笔试（闭卷） 考试时间 180分钟 考试总分 150分 一、总体要求 主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。 二、内容及比例 数字电路部分（50%） 1、数制和编码 掌握数制、码制及相互转换方法。 2、逻辑代数基础 1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则 真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。 2）、掌握逻辑关系式的化简方法 3、逻辑门电路 掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电气特性、应用和使用注意事项 4、组合电路分析与设计 1）、掌握组合电路特点及分析方法： 2）、掌握组合电路的设计方法（SSI） 对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。 对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。 3）、利用集成组合电路进行设计（MSI） 重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。 5、时序电路分析与设计 1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式和特性方程 2）、掌握时序电路的分析方法与设计方法 重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。 重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：74160/2、74161/3、74194等电路）的逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。 6、存储器、CPLD和FPGA 了解常用半导体存储器（ROM 、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。了解可编程逻辑器件的原理和结构。 模拟电路部分（50%） 第一章 半导体材料及二极管 1、半导体基础知识（了解）： 本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。 2、二极管特性（了解）： 二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻 与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。 3、二极管应用（掌握）： 二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。 二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与双向限幅电路；二极管开关电路。 二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。 第二章 双极型晶体三极管 1、BJT原理（了解） NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。 2、BJT静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。 3、BJT参数（掌握） ,β￣ ,α,β, ICBO, ICEO , ICM ,PCM ,BVCEO 和 fT的含义 BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。 4、BJT模型（掌握） BJT的小信号等效模型：简化模型（g m参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。 BJT的混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。 第三章 BJT放大电路 1、放大器的一些基本概念（正确理解） 信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。 2、BJT偏置电路（掌握） 掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。 3、BJT三种基本组态放大器（掌握） 小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。 CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。 交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。 4、多级放大器（掌握） 级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。 第四章 MOSFET及基本放大电路 1、FET原理（了解） 了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和vOS此时对iD的影响 2、FET特性曲线（掌握） 以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。 3、FET偏置电路