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2017-10-27 发布于安徽
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一种新型高压功率器件终端技术.pdf

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第4l卷第4期微电子学 VoL41，Nn4 2011年8月胁roelectronics Aug．2011 ·半导体器件与工艺· 一种新型高压功率器件终端技术宋文斌，蔡小五 (大连东软信息学院，辽宁大连116023) 摘要：为了改善高压功率器件的击穿电压、节省芯片面积，提出一种P一场限环结合P+补偿结构、同时与金属偏移场板技术相结合的高压终端技术。采用TcAD(IsE)时该技术进行模拟，结果表明，该技术具有比较好的面积优化和击穿电压优化特性。关键词：功率器件；击穿电压；终端技术；场限环中图分类号：TN386 文献标识码：A ANovelTerminationfor PowerDevice TechniqueHighVoltage soNGWenbin．CAIXiaowu (Dalian Institute 116023，只R．China) Neusoft ofInformation，Dalian，Liaoning Abstract：Tobreakdownof deviceandreduceits area．anovel power improve voltagehighvoltage chip high was P—field with termination ringscombinedP+offsetandmetaloffset voltage techniqueproposedusing limiting with field novelte肌inationstructurewassimulatedTCAD(ISE)．Simulationresultsshowed platetechniques．The area thatthenovelstructurefeaturedexcellentcharacteristicsof andbreakdown optimized voltage words：Powerdevice；Breakdown Key voltage；Terminationtechnique；Fieldlimitingring EEAOc：2570D 1 引言 2模拟结果与讨论本文提出的终端结构如图1所示，该结构P一场由于高压功率器件终端区P-N结弯曲及各种限环里包含P+补偿结构，同时还采用了金属浮空场工艺因素的影响，实际器件的击穿电压低于理想平板结构。面结的击穿电压口]。为了有效提高器件的击穿电压，通常采用P+场限环终端技术口]。这种技术的优点是在元件制造过程中无需加人新工艺，但采用P+ 场限环技术比较浪费芯片面积，特别是击穿电压在图1新